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田飞飞

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇晶体管
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇栅电荷
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇温度特性
  • 1篇静态特性
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极晶...
  • 1篇开关特性
  • 1篇建模方法
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇宏模型
  • 1篇NPT-IG...

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇吴郁
  • 2篇刘钺杨
  • 2篇胡冬青
  • 2篇田飞飞
  • 1篇贾云鹏

传媒

  • 1篇现代电子技术
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高压LDMOS晶体管宏模型及栅电荷建模方法
2011年
针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足,提出一种LDMOS宏模型。在本研究中,借助Spectre软件分别对宏模型与BSIM4器件模型进行仿真,并对2种LDMOS器件模型下的CV结果进行对比,验证了宏模型对LDMOS器件模拟的准确性。最后,提出利用栅电荷曲线来进一步修正模型参数的新方法,并通过仿真获得更精确的LDMOS器件模型。该宏模型及栅电荷建模方法对于高压功率集成电路设计及仿真有重要意义。
田飞飞吴郁胡冬青刘钺杨
关键词：高压LDMOS宏模型栅电荷
仿真研究背发射极注入效率对NPT-IGBT温度特性的影响
绝缘栅双极晶体管（简称IGBT）是电力电子领域应用非常广泛的器件。目前国内产业界对IGBT研究很热,1200V NPT-IGBT已有生产,600V NPT-IGBT不久将来也将成为产业化的目标。而IGBT相关的研究主要集...
刘钺杨胡冬青贾云鹏吴郁田飞飞
关键词：绝缘栅双极晶体管温度特性电学特性静态特性开关特性
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