江凤仙
- 作品数：20 被引量：19H指数：2
- 供职机构：山西师范大学化学与材料科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 稀磁半导体对La0.8Sr0.2MnO3薄膜居里温度的影响
- 马荣荣江凤仙许小红
- 关键词：稀磁半导体异质结居里温度
- 氧化物稀磁半导体的本征铁磁性及其应用被引量：2
- 2015年
- 电子具有电荷和自旋两个重要属性，传统的半导体器件仅利用了电子的电荷属性，稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷和自旋属性，成为未来半导体自旋电子器件的关键材料之一。人们期望通过对稀磁半导体材料的研究获得具有非易失、多功能、超高速和低功耗等特性的半导体自旋器件，这对材料和信息技术领域都将是一场质的革命。
- 全志勇齐世飞范九萍江凤仙李小丽许小红
- 关键词：自旋注入磁电阻效应
- 一种磁记录交换耦合复合膜的制备方法
- 本发明涉及一种磁记录交换耦合复合膜的制备方法，它是以平面玻璃为基片，以银靶、铁靶、钌靶、铁铂合金靶为靶源，在磁控溅射炉中，在20℃±1℃常温下，在氩气气氛中，在磁场条件下，在水循环冷却状态下，在真空度为1.0Pa恒定下，...
- 许小红王芳梁艳张静李小丽江凤仙
- 文献传递
- 氧化物稀磁半导体的研究进展被引量：11
- 2012年
- 稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其磁交换能、电子结构、居里温度和磁性产生的机制进行阐述;三是在稀磁半导体的基础上进一步延伸,介绍其相关的异质结构的磁电阻效应,并在文章的最后对氧化物稀磁半导体的研究进行总结和展望。
- 许小红李小丽齐世飞江凤仙全志勇范九萍马荣荣
- 关键词：自旋注入
- 基片温度对Co掺杂ZnO薄膜室温铁磁性的影响(英文)被引量：1
- 2008年
- 采用磁控共溅射法在Al2O3（0001）基片上沉积了Zn1-xCoxO（x=0.08～0.31%）薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果表明：Al2O3（001）基片很好地诱导了ZnCoO薄膜（002）取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性。较低的基片温度不仅能有效抑制薄膜中Co2O3杂质相的产生,而且薄膜磁矩较大。紫外-可见光谱也表明,薄膜中Co^2＋取代了ZnO中Zn^2＋的位置。
- 王朱良李小丽江凤仙田宝强吕宝华许小红
- 关键词：磁控共溅射基片温度铁磁性
- 氧气分压对Fe掺杂In2O3薄膜磁性的影响
- 近年来，稀磁半导体由于在自旋电子学领域具有潜在的应用价值而受到了人们的广泛研究。但是，一些主体氧化物半导体对过渡金属固熔量较小，容易形成第二相团簇，导致这些化合物的铁磁性来源于磁性杂质。In2O3是一种透明的，宽禁带(3...
- 江凤仙张君许小红
- 关键词：稀磁半导体自旋电子学
- 文献传递
- 氧化物稀磁半导体中长程铁磁有序机制的研究
- 齐世飞江凤仙范九萍G. A. Gehring许小红
- 关键词：稀磁半导体第一性原理计算
- 一种非补偿n‑p共掺杂的ZnO薄膜及其制备方法
- 本发明提供了一种非补偿n‑p共掺杂的ZnO薄膜，以n型掺杂剂V<Sup>4+</Sup>和p型掺杂剂N<Sup>3‑</Sup>为非补偿性n‑p共掺杂剂，ZnO薄膜组成为Zn<Sub>1‑x</Sub>V<Sub>x</...
- 江凤仙仝瑞雪许小红纪丽飞周国伟
- 高效液相色谱化学发光测定中药制剂中2,3,5,4′-四羟基二苯乙烯-2-O-β-D-葡萄糖苷被引量：5
- 2005年
- 研究了2 ,3,5 ,4′四羟基二苯乙烯2 O βD 葡萄糖苷在硝酸介质中与高锰酸钾的发光行为和光谱现象,甲醛的存在可使化学发光强度大大增强。由于中药制剂成分复杂,干扰大,文章首次采用反相高效液相色谱化学发光技术,建立了一种测定中药制剂中2 ,3,5 ,4′四羟基二苯乙烯2 O βD 葡萄糖苷含量的新方法。对于不同中药制剂样品中2 ,3,5 ,4′四羟基二苯乙烯2 O βD 葡萄糖苷测定的回收率为10 2 %～10 8%。方法的检出限为11 83μg·mL- 1 ,线性范围为15 75～136 5 μg·mL- 1 ,相对标准偏差为3 4 5 % (Cs=2 1 0 μg·mL- 1 ,n =3)。此法简便、快速,重复性好,结果令人满意。
- 卫洪清刘二保任荣芳赵秀丽李晓霞江凤仙
- 关键词：高效液相色谱化学发光分析
- Mn,Fe 共掺ZnO粉末和薄膜的不同磁性来源
- 范九萍江凤仙全志勇秦秀芳许小红
- 关键词：固态反应脉冲激光沉积磁性
