全志勇
- 作品数：17 被引量：16H指数：2
- 供职机构：山西师范大学化学与材料科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金山西省青年科技研究基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- ZnO底层对Co/ZnO颗粒膜磁电阻效应的影响
- 88年磁电阻效应的发现激起了人们的研究兴趣,到目前为止已经取得了很大的进展,并为人类创造了巨大的经济效益.近年来,在铁磁金属/半导体材料体系的研究中发现了较大的室温负磁电阻效应[1,2].
- 程龙高燕李小丽全志勇许小红
- 关键词：磁控溅射磁电阻效应
- 超薄Co/ZnO薄膜的结构和室温磁电阻效应
- 自从在Co/Cu颗粒膜中发现巨磁电阻效应以来,由于其简单的制备工艺以及在自旋电子器件中潜在的应用引起了人们的广泛关注。笔者研究了有关于超薄磁性金属/半导体薄膜的性质，通过磁控溅射循环沉积了[Co(0.6nm)/Zn0(1...
- 全志勇张仙鹏刘薇许小红
- 关键词：半导体氧化锌薄膜结构特征
- 文献传递
- Co/ZnO 颗粒膜中电阻相关的磁电阻效应
- 全志勇刘薇许小红
- 关键词：磁控溅射磁电阻效应
- 氧化物稀磁半导体的本征铁磁性及其应用被引量：2
- 2015年
- 电子具有电荷和自旋两个重要属性，传统的半导体器件仅利用了电子的电荷属性，稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷和自旋属性，成为未来半导体自旋电子器件的关键材料之一。人们期望通过对稀磁半导体材料的研究获得具有非易失、多功能、超高速和低功耗等特性的半导体自旋器件，这对材料和信息技术领域都将是一场质的革命。
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- 关键词：自旋注入磁电阻效应
- Co/ZnO薄膜中电阻相关的室温磁电阻效应
- 由于金属和半导体间存在较大的电导失配，室温下电子从磁性金属到半导体的自旋注入效率非常低。最近，在磁性金属/半导体薄膜中发现了较大的室温磁电阻效应[1-3]，这引起人们越来越多的关注。
- 全志勇刘薇许小红
- 关键词：磁控溅射磁电阻效应电阻
- 氧化物稀磁半导体的研究进展被引量：11
- 2012年
- 稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其磁交换能、电子结构、居里温度和磁性产生的机制进行阐述;三是在稀磁半导体的基础上进一步延伸,介绍其相关的异质结构的磁电阻效应,并在文章的最后对氧化物稀磁半导体的研究进行总结和展望。
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- 关键词：自旋注入
- 非线性反铁磁Mn_(3)Sn多晶薄膜的反常霍尔效应研究被引量：2
- 2021年
- 非线性反铁磁材料表现出反常霍尔效应(AHE)、反常能斯特效应(ANE)等众多优异的物理性能,成为下一代室温自旋电子器件的重要候选材料,其中,具有420 K反铁磁转变温度的Mn_(3)Sn是最具代表性的材料之一。利用磁控溅射制备了非线性反铁磁Mn_(3)Sn多晶薄膜,薄膜表现出显著AHE,通过改变磁控溅射气压有效调控其矫顽场,室温最大值达到3.03×10^(5)A∙m^(-1),260 K时增加到5.73×10^(5)A∙m^(-1)。X射线粉末衍射和变温霍尔测试表明多晶Mn_(3)Sn薄膜中含有少量铁磁性Mn2Sn杂相,并导致AHE在大约250 K时反常霍尔系数由负号转变为正号;通过不同角度磁场和变温霍尔电阻测试,结合垂直各向异性铁磁薄膜霍尔电阻曲线,澄清了Mn_(3)Sn薄膜中AHE与其磁矩具有较小的关联,而主要源于动量空间非线性反铁磁自旋织构产生的非零贝利曲率。这些结果不仅为反铁磁Mn_(3)Sn中AHE的来源提供实验证据,而且为非线性反铁磁材料在未来高性能自旋电子器件中的应用打下基础。
- 全志勇陈翰韬张伟刘慧慧许小红
- 关键词：反常霍尔效应
- L1<Sub>0</Sub>-FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种L1<Sub>0</Sub>-FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器及其制备方法，所述传感器由基片、沉积于基片上的底层、磁性多层膜和保护层构成，基片为单晶MgO(001)，底层为Pt，磁性层为FePt/Cu...
- 全志勇宋智林许小红刘霞武彪张丽
- Co与ZnO半导体等复合膜磁电阻效应及自旋注入的研究
- 自从在Fe//Cr金属多层膜中发现巨磁电阻效应以来，人们在磁性金属//非磁性材料的多层膜、颗粒膜和磁性隧道结中都相继发现了磁电阻效应，而且其在磁传感器、计算机读头及磁随机存储器等自旋电子器件上得以广泛应用。相对于金属//...
- 全志勇
- 关键词：磁控溅射颗粒膜自旋注入
- 文献传递
- Co/ZnO薄膜室温磁电阻效应与薄膜厚度的关系
- 最近,人们在磁性金属/半导体薄膜中观察到巨大的磁电阻效应,并对其结构和磁电阻效应的来源进行了分析。本文中,我们主要研究薄膜厚度对薄膜结构和磁电阻效应的影响。通过磁控溅射循环沉积超薄金属Co层和半导体ZnO层,改变循环周期...
- 全志勇刘薇许小红
- 文献传递
