周国伟
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：山西师范大学化学与材料科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 镍酸镧基异质结的交换偏置与超导性质研究
- 钙钛矿稀土镍酸盐材料较难合成，一直是材料学家想要解决的难题。近年来随着材料制备技术的迅猛发展，在较大原子半径的La到Sm元素的镍酸盐中，可以实现高质量的薄膜制备。特别是在稀土镍酸盐家族中，镍酸镧(LaNiO3)是唯一一个...
- 周国伟
- 关键词：锰氧化物交换偏置超导现象
- 一种非补偿n‑p共掺杂的ZnO薄膜及其制备方法
- 本发明提供了一种非补偿n‑p共掺杂的ZnO薄膜，以n型掺杂剂V<Sup>4+</Sup>和p型掺杂剂N<Sup>3‑</Sup>为非补偿性n‑p共掺杂剂，ZnO薄膜组成为Zn<Sub>1‑x</Sub>V<Sub>x</...
- 江凤仙仝瑞雪许小红纪丽飞周国伟
- NiCo_(2)O_(4)薄膜的制备及其磁电性能研究被引量：1
- 2022年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在氧化镁(MgO(001))、钛酸锶(SrTiO_(3)(001))和铝酸镁(MgAl_(2)O_(4)(001))3种衬底上,外延生长钴酸镍(NiCo_(2)O_(4))薄膜。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)对NiCo_(2)O_(4)薄膜进行形貌表征和结构分析,测试结果表明NiCo_(2)O_(4)薄膜具有平整的表面和优异的结晶度。采用综合物性测量系统(PPMS)测试NiCo_(2)O_(4)薄膜的电输运及磁性能,通过对比发现在MgO(001)和SrTiO_(3)(001)衬底上生长的NiCo_(2)O_(4)薄膜呈半导体特性,并且磁性较弱,而在MgAl_(2)O_(4)(001)衬底上生长的NiCo_(2)O_(4)薄膜具有金属性和室温亚铁磁性,并且表现出明显的垂直磁各向异性。综合分析表明,不同衬底上制备的NiCo_(2)O_(4)薄膜受外延应变、沉积温度(T_(g))及氧分压(p_(O2))的影响,会表现出差异较大的磁电特性。通过优化衬底的选择以及生长参数的调整,本文可以制备出具有垂直磁各向异性的室温亚铁磁金属NiCo_(2)O_(4)薄膜,可用于微型自旋电子学器件的制备。
- 周国伟康鹏华
- 关键词：脉冲激光沉积金属性垂直磁各向异性
- 具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜及制备方法
- 本发明涉及锰氧化物薄膜制备技术领域，公开了一种具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜，其具有[LaMnO<Sub>3</Sub>(m)/SrMnO<Sub>3</Sub>(n)]<Sub>10</Sub>的结构，其中L...
- 周国伟许小红姬慧慧张军
- 文献传递
- Fe/Sn共掺杂In_2O_3稀磁半导体薄膜的磁性和输运性质
- 2017年
- 采用脉冲激光沉积方法在Al_2O_3衬底上制备了Fe/Sn共掺杂的(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜,研究了沉积过程的氧气分压对薄膜结构、磁性和输运性质的影响,以揭示其铁磁性来源和机制。(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜为单相立方In2O3结构,Fe和Sn取代了In2O3中In的位置。在不同氧气分压下制备的(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜具有明显的室温铁磁性,随着氧气分压的增加,薄膜的铁磁性减小。输运测量表明,(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜为n型半导体,载流子浓度约为1020 cm-3,在低温时具有明显的磁电阻效应。研究结果表明(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜的铁磁性是本征的,载流子浓度对薄膜的铁磁性有重要影响。
- 仝瑞雪周国伟马文睿江凤仙
- 关键词：脉冲激光沉积稀磁半导体磁性
- 一种V掺杂的TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种具有金属导电性和室温铁磁性的V掺杂TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法。所述薄膜选择非磁性的V作为掺杂剂进行掺杂，避免了铁磁性团簇的产生，同时V<Sup>3+</Sup...
- 江凤仙纪丽飞曾泽亭周国伟许小红
- 具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜及制备方法
- 本发明涉及锰氧化物薄膜制备技术领域，公开了一种具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜，其具有[LaMnO<Sub>3</Sub>(m)/SrMnO<Sub>3</Sub>(n)]<Sub>10</Sub>的结构，其中L...
- 周国伟许小红姬慧慧张军
- 一种非补偿n-p共掺杂的ZnO薄膜及其制备方法
- 本发明提供了一种非补偿n‑p共掺杂的ZnO薄膜，以n型掺杂剂V<Sup>4+</Sup>和p型掺杂剂N<Sup>3‑</Sup>为非补偿性n‑p共掺杂剂，ZnO薄膜组成为Zn<Sub>1‑x</Sub>V<Sub>x</...
- 江凤仙仝瑞雪许小红纪丽飞周国伟
- 文献传递
- 氧气分压对TiO_2薄膜结构、磁性及输运性质的影响被引量：1
- 2017年
- 采用脉冲激光沉积技术在LaAlO_3(100)基片上制备了TiO_2薄膜,研究了氧气分压对薄膜结构、磁性与输运性质的影响.结构测量表明,TiO_2薄膜的结构与沉积过程中的氧气分压有关,氧气分压的增大有利于薄膜向锐钛矿相转变.磁性测量表明,在较高的氧气分压下制备的TiO_2薄膜表现为顺磁性,在较低氧气分压下制备的TiO_2薄膜表现出明显的室温铁磁性,其铁磁性与氧空位有密切关系.输运测量进一步表明,TiO_2薄膜表现为半导体导电特性,在具有铁磁性的薄膜中还观察到了低温磁电阻效应.
- 马文睿仝瑞雪周国伟江凤仙
- 关键词：TIO2磁性
- 一种V掺杂的TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种具有金属导电性和室温铁磁性的V掺杂TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法。所述薄膜选择非磁性的V作为掺杂剂进行掺杂，避免了铁磁性团簇的产生，同时V<Sup>3+</Sup...
- 江凤仙纪丽飞曾泽亭周国伟许小红
- 文献传递
