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李齐

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇栅氧化
  • 1篇集成电路
  • 1篇氧
  • 1篇MOS集成电...
  • 1篇MOS器件

机构

  • 1篇西安微电子技...

作者

  • 1篇刘存生
  • 1篇薛东风
  • 1篇李齐

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
薄栅氮化工艺技术研究
2003年
介绍一种薄栅氮化的工艺方法，可用于0．8-1．0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。
薛东风刘存生李齐
关键词：MOS集成电路栅氧化MOS器件
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共1页<1>
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