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一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法: 本发明公开了一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法，适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质，设计了一种中部有缩颈的坩埚，并使晶体在坩...; 孙士文何力杨建荣周昌鹤虞慧娴徐超盛锋锋; 文献传递

一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀坑的识别方法: 本发明公开了一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀坑的识别方法。包括晶体表面预处理、晶体表面清洗、配制腐蚀液并腐蚀晶体表面和观察识别晶体缺陷4个步骤，其特征在于：在观察识别晶体缺陷的步骤中使用常规光学显微镜对碲锌镉晶片表面的腐蚀坑...; 盛锋锋杨建荣孙士文周昌鹤虞慧娴徐超; 文献传递

一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构: 本发明公开了一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构，套管式腔体采用多层管子相套而成的结构，内管形成的腔体为材料制备提供需要的工艺环境和条件。通过选择套管的层数，控制套管之间的间隙和各层套管的长度，并采用在套管开口处加塞等...; 杨建荣徐超; 文献传递

一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构: 本发明公开了一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构，套管式腔体采用多层管子相套而成的结构，内管形成的腔体为材料制备提供需要的工艺环境和条件。通过选择套管的层数，控制套管之间的间隙和各层套管的长度，并采用在套管开口处加塞等...; 杨建荣徐超; 文献传递

一种利用温度梯度合成碲锌镉多晶的合成装置: 本专利公开了一种利用温度梯度合成碲锌镉多晶的合成装置。本合成装置包括加热氧化铝炉膛，内衬炉膛，控温系统，反应器皿，且可以进行两段独立或联合升降温。所述方法通过改变高温区和低温区的温场分布来实现温度梯度的调控，通过改变晶料...; 徐超周昌鹤孙士文虞慧娴张大众张诚杨建荣; 文献传递

红外光热吸收成像技术在碲锌镉材料检测中的应用被引量：4: 2019年; 红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉晶体中的缺陷进行扫描成像分析时发现了一种连续性的光貌相条纹并对这些条纹的形成机理进行了研究.研究表明碲锌镉晶体中的这种连续性条纹源自于光热测试系统中入射光的干涉这种干涉和入射光参数、测试样品的厚度、禁带宽度以及热导率等材料特性密切相关.最后实验通过优化红外光热吸收测量系统获得了碲锌镉材料中的微缺陷结构及其在样品深度方向的三维分布图像.; 徐超孙士文孙士文董敬涛杨建荣; 关键词：红外碲锌镉

两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法: 本发明公开了一种两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法，该方法先将碲锌镉材料放置在富碲状态下进行热处理，使富碲沉淀相缺陷中过量的碲原子从样品中排出，然后再用富镉热处理对样品进行处理，使Cd原子进入液态的富碲沉淀...; 杨建荣徐超盛锋锋孙士文; 文献传递

一种缩颈型晶体坩埚: 本专利公开了一种基于缩颈型晶体坩埚，它适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。该坩埚利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质，设计了一种中部有缩颈的坩埚，并使晶体在坩埚内自上向下生长，当熔...; 孙士文何力杨建荣周昌鹤虞慧娴徐超盛锋锋; 文献传递

一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法: 本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法，本发明先使用体积分数为1％-5％的溴甲醇溶液，对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄，获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷，在100倍...; 虞慧娴孙士文杨建荣周昌鹤徐超周梅华王云

50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术被引量：10: 2017年; 采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控制,50 mm×50 mm外延材料的组分均方差达到了0.000 4,厚度均方差达到了0.4μm.在批量生产技术中,加强了对单轮次生长环境的均匀性和生长轮次之间生长条件一致性的控制,同一轮次生长的3片材料之间的组分偏差小于0.000 4,厚度偏差小于0.1μm,不同生长轮次之间材料的组分之间的波动在±0.002左右,厚度之间的波动在±2μm左右.工艺中对碲锌镉衬底的Zn组分、缺陷尺寸和缺陷密度也加强了控制,以控制大面积外延材料的缺陷,晶体双晶衍射半峰宽(FWHM)小于30弧秒,外延材料的位错密度小于1×105cm^(-2),表面缺陷密度小于5 cm^(-2).外延材料经过热处理后,汞空位型的P型Hg0.78Cd0.22Te外延材料77 K温度下的载流子浓度被控制在8~20×1015cm-3,空穴迁移率大于600 cm2/Vs.材料整体性能和批生产能力已能满足大规模碲镉汞红外焦平面探测器的研制需求.; 孙权志孙瑞赟魏彦锋孙士文周昌鹤徐超虞慧娴杨建荣; 关键词：碲镉汞液相外延大尺寸高性能

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徐超