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张军

作品数:10 被引量:5H指数:2
供职机构:武汉邮电科学研究院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 3篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 5篇发光
  • 3篇端面
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇发光管
  • 3篇辐射发光
  • 3篇超辐射
  • 3篇超辐射发光管
  • 2篇多量子阱
  • 2篇应变多量子阱
  • 2篇应变量子阱
  • 2篇收发
  • 2篇刻蚀
  • 2篇减反射膜
  • 2篇光电
  • 2篇光电集成
  • 2篇光谱
  • 2篇光纤
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光

机构

  • 10篇武汉邮电科学...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 10篇张军
  • 5篇刘应军
  • 5篇王定理
  • 4篇刘涛
  • 3篇甘毅
  • 3篇邬江帆
  • 3篇常进
  • 3篇李林松
  • 3篇黄晓东
  • 2篇劳燕锋
  • 2篇吴惠桢
  • 2篇黄占超
  • 2篇刘成
  • 2篇曹萌
  • 2篇江山
  • 2篇杨新民
  • 2篇周宁
  • 2篇张哲民
  • 1篇余向红
  • 1篇唐明星

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学仪器
  • 1篇全国第十次光...
  • 1篇中国光学学会...
  • 1篇全国第十次光...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 2篇2001
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
2004年
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
常进张军王定理刘应军甘毅李林松黄晓东刘涛邬江帆
关键词:超辐射发光管放大自发辐射半导体激光器
光纤到户FTTX用实用化光电集成收发合一模块
张军余向红米全林岳爱文刘应军王飚徐红春陈序光陈志强张凯戴启伟童铮
该项目属于通信技术领域光电信息技术学科。光纤接入(FTTx)的发展是国家和社会信息化程度及竞争力的重要体现,其中芯片与光收发模块的核心技术与成本问题是FTTx发展的主要瓶颈,国外知名厂商均投入巨资研究,但受国外技术封锁与...
关键词:
关键词:光收发模块雪崩光电二极管
全MOCVD生长InGaAsP/InP DCPBH-LD的制作技术及器件特性
与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作的DFB激光器的阈值电流较LPE...
杨新民张哲民周宁王定理张军
关键词:光纤激光器光通信系统液相外延
文献传递
单片集成光器件关键技术研究
江山张军张国保时伟刘涛张靖周立兵刘应军徐健唐明星唐琼曹丽许敏
该项目采用自主开发软件建立了一套集模拟仿真与CAD功能于一体的光电集成器件设计软件平台;开发了包括MOCVD外延、光刻、腐蚀、光栅等各道工艺的RWG、DC-PBH类型单片集成芯片关键工艺技术和光电集成相关的凸点flip ...
关键词:
关键词:单片集成光器件光电集成
ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤被引量:3
2006年
为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm,应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43.5nm,两者符合得比较好.通过分析损伤产生的机理,认为产生损伤的主要原因是离子隧穿.
曹萌吴惠桢劳燕锋黄占超刘成张军江山
关键词:干法刻蚀应变量子阱光致发光谱
全MOCVD生长InGaAsP/InP DCPBH-LD的制作技术及器件特性
与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作的DFB激光器的阈值电流较LPE...
杨新民张哲民周宁王定理张军
文献传递
2.5Gb/s小型化热插拔(SFP)的光收发合一模块
高明锁崔锡宏王广宇黄丹华全本庆陈寅张军
本设备适用于国家电信光网络、地区本地光网络、市话光网络、以及铁道、电力、有线电视、军队等其它光缆通信网络。发射部分是将LVPECL串行电信号转化为串行光信号在光纤中传输。采用了自动功率控制(APC)电路,使光功率的变化控...
关键词:
关键词:小型化热插拔
干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究被引量:2
2007年
采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同时使其内部微结构发生变化.采用湿法腐蚀方法去除表面变粗糙对量子阱发光特性的影响,得到干法刻蚀覆盖层20nm后应变单量子阱微结构变化和其表面粗糙度变化两个因素分别使荧光强度提高1.8倍和1.2倍的结果.
曹萌吴惠桢刘成劳燕锋黄占超谢正生张军江山
关键词:干法刻蚀应变多量子阱光致发光谱
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
常进张军王定理刘应军甘毅李林松黄晓东刘涛邬江帆
关键词:超辐射发光管放大自发辐射
文献传递
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
在中心波长1310nm 的InGaAsP 半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率<0.03﹪ 的三层减反射膜,得到了波纹小于0.5dB 的超辐射发光管。
常进张军王定理刘应军甘毅李林松黄晓东刘涛邬江帆
关键词:超辐射发光管半导体激光器
文献传递
共1页<1>
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