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黄晓东

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉邮电科学研究院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇端面
  • 3篇发光
  • 3篇发光管
  • 3篇辐射发光
  • 3篇超辐射
  • 3篇超辐射发光管
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇减反射膜
  • 2篇放大自发辐射
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器

机构

  • 3篇武汉邮电科学...

作者

  • 3篇刘涛
  • 3篇甘毅
  • 3篇邬江帆
  • 3篇常进
  • 3篇张军
  • 3篇李林松
  • 3篇刘应军
  • 3篇黄晓东
  • 3篇王定理

传媒

  • 1篇光学仪器
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 3篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
在中心波长1310nm 的InGaAsP 半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率<0.03﹪ 的三层减反射膜，得到了波纹小于0.5dB 的超辐射发光管。
常进张军王定理刘应军甘毅李林松黄晓东刘涛邬江帆
关键词：超辐射发光管半导体激光器
文献传递
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
常进张军王定理刘应军甘毅李林松黄晓东刘涛邬江帆
关键词：超辐射发光管放大自发辐射
文献传递
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
2004年
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
常进张军王定理刘应军甘毅李林松黄晓东刘涛邬江帆
关键词：超辐射发光管放大自发辐射半导体激光器
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