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刘涛

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉邮电科学研究院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇激光
  • 8篇激光器
  • 5篇量子阱激光器
  • 3篇单片
  • 3篇单片集成
  • 3篇端面
  • 3篇应变量子阱
  • 3篇应变量子阱激...
  • 3篇致冷
  • 3篇发光
  • 3篇发光管
  • 3篇辐射发光
  • 3篇超辐射
  • 3篇超辐射发光管
  • 2篇单片集成器件
  • 2篇多量子阱
  • 2篇减反射膜
  • 2篇放大自发辐射
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光

机构

  • 11篇武汉邮电科学...
  • 2篇清华大学

作者

  • 11篇刘涛
  • 6篇金锦炎
  • 4篇张军
  • 4篇刘应军
  • 4篇杨新民
  • 3篇甘毅
  • 3篇邬江帆
  • 3篇常进
  • 3篇李同宁
  • 3篇李林松
  • 3篇黄晓东
  • 3篇黄涛
  • 3篇王定理
  • 2篇王彩玲
  • 2篇罗毅
  • 2篇吴又生
  • 2篇孙长征
  • 2篇王任凡
  • 2篇周宁
  • 1篇唐明星

传媒

  • 2篇光通信研究
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇光学仪器
  • 1篇全国第十次光...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高性能无致冷1.3μm AlGalnAs应变量子阱激光器
本文报道了AlGalnAs应变量子阱材料生长的低压金属有机化学气相沉积的工艺研究结果,用SIMS、XRD、PL等技术分析了量子阱材料的结构组成、纯度、光学特性,得到优化的生长工艺和量子阱结构;制作的脊形波导量子阱激光器量...
金锦炎刘涛
文献传递
高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器
1999年
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时，管芯最大输出功率超过５０ｍＷ，阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间，发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ，边模抑制比超过３５ｄＢ，室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。
杨新民李同宁刘涛周宁金锦炎李晓良
关键词：ALGAINAS应变多量子阱DFB激光器
单片集成光器件关键技术研究
江山张军张国保时伟刘涛张靖周立兵刘应军徐健唐明星唐琼曹丽许敏
该项目采用自主开发软件建立了一套集模拟仿真与CAD功能于一体的光电集成器件设计软件平台；开发了包括MOCVD外延、光刻、腐蚀、光栅等各道工艺的RWG、DC-PBH类型单片集成芯片关键工艺技术和光电集成相关的凸点flip ...
关键词：
关键词：单片集成光器件光电集成
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
2004年
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
常进张军王定理刘应军甘毅李林松黄晓东刘涛邬江帆
关键词：超辐射发光管放大自发辐射半导体激光器
长波长高速、高线性量子阱DFB激光器
杨新民刘涛周宁王长虹黄涛金锦炎等
该激光器采用AlGaInAs材料和RWG结构、低失真耦合封装和预失真补偿技术，形成高功率和高线性的光发射模块。器件的主要技术指标：中心波长λP1310±10nm；阈值电流Ith≤25mA；输出功率Pf≥10mW；斜率效率...
关键词：
关键词：量子阱激光器光发射模块激光器
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
常进张军王定理刘应军甘毅李林松黄晓东刘涛邬江帆
关键词：超辐射发光管放大自发辐射
文献传递
2.5 Gbit/s用DFB-LD/EA单片集成器件
1999年
本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ，Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ≥３５ｄＢ。调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ；该发射模块在２．５Ｇｂｉｔ／ｓＤＷＤＭ系统上进行传输试验，传输２４０ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ，ＢＥＲ＝１０－１２。
李同宁金锦炎杨新民王彩玲刘涛黄涛王任凡吴又生罗毅文国鹏孙长征
关键词：集成光学多量子阱激光器DWDM系统
高性能无致冷1.3μmAlGaInAs应变量子阱激光器
本文报道了AlGaInAs应变量子阱材料生长的低压金属有机化学气相沉积的工艺研究结果,用SIMS、XRD、PL等技术分析了量子阱材料的结构组成、纯度、光学特性,得到优化的生长工艺和量子阱结构;制作的脊形波导量子阱激光器量...
金锦炎刘涛
关键词：量子阱材料量子阱激光器温度特性
文献传递
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
在中心波长1310nm 的InGaAsP 半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率<0.03﹪ 的三层减反射膜，得到了波纹小于0.5dB 的超辐射发光管。
常进张军王定理刘应军甘毅李林松黄晓东刘涛邬江帆
关键词：超辐射发光管半导体激光器
文献传递
高性能 2.5Gb/s 用的 DFB-LD/EA 单片集成器件
1998年
报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ＞３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ。该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０－１２。
李同宁金锦炎杨新民王彩玲刘涛黄涛王任凡吴又生罗毅文国鹏孙长征
关键词：DWDM系统光纤通信系统2.5GB/S
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