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席峰

作品数：27 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 16篇刻蚀
  • 15篇启辉
  • 8篇等离子体
  • 6篇等离子刻蚀
  • 6篇电极
  • 6篇离子刻蚀
  • 5篇上网
  • 5篇中性化
  • 5篇离子
  • 5篇进气
  • 5篇进气结构
  • 4篇淀积
  • 4篇真空
  • 4篇绝缘
  • 4篇均匀性
  • 4篇刻蚀工艺
  • 4篇刻蚀系统
  • 3篇等离子体刻蚀
  • 3篇射频线圈
  • 3篇石英

机构

  • 27篇中国科学院微...

作者

  • 27篇李楠
  • 27篇夏洋
  • 27篇席峰
  • 24篇张庆钊
  • 24篇李勇滔
  • 5篇胡冬冬
  • 5篇刘训春
  • 3篇王佳
  • 3篇汪明刚
  • 2篇屈芙蓉

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 9篇2013
  • 10篇2012
  • 3篇2011
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
刻蚀系统机柜
1.本外观设计产品的名称：刻蚀系统机柜。;2.本外观设计产品的用途：用于中性粒子刻蚀系统、也可用于等离子刻蚀、去胶、清洗、沉积、注入、键合等带有预腔室结构的半导体工艺系统。;3.本外观设计的设计要点：外部形状。;4.最能...
席峰胡冬冬屈芙蓉刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
一种用于进气结构的匀气盘
本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构中的匀气盘。所述用于进气结构的匀气盘上分布若干小孔，所述小孔从所述匀气盘的中心到边缘按照由密到疏、由疏到密或由密到疏再到密的方式分布...
李楠席峰李勇滔张庆钊夏洋
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产生中性粒子束的装置及方法
本发明公开了一种产生中性粒子束的装置，包括反应腔体、放置芯片的载片台、等离子源、上网板，所述上网板、等离子源和所述载片台设置在所述反应腔体内部，所述上网板设置在所述等离子源上方，所述等离子源和所述载片台之间依次设置有中网...
席峰李勇滔李楠张庆钊夏洋
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一种进气结构
本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构，包括进气管、匀气筒和匀气盘，所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部，所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内，所述...
席峰胡冬冬刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
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一种非金属真空腔室结构
本发明公开了一种非金属真空腔室结构，属于等离子体技术领域。所述非金属真空腔室结构包括进气口、上盖板、腔室筒体、射频线圈、下盖板和排气口；进气口设置于上盖板的中心处，排气口设置于下盖板的中心处，上盖板、下盖板与腔室筒体密封...
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一种平板电极固定结构
本发明公开了一种平板电极固定结构，属于等离子体刻蚀技术领域。所述平板电极固定结构包括绝缘支撑，绝缘支撑上设置有多个进气孔，上电极和下电极围绕进气孔均匀分布。绝缘支撑的厚度为5～1000mm。绝缘支撑由绝缘材料制成，绝缘材...
席峰李勇滔李楠张庆钊夏洋
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一种新型匀气结构
本发明涉及等离子刻蚀、淀积及中性粒子刻蚀设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子体或中性粒子刻蚀系统的匀气结构。所述匀气结构设置在真空腔室的进气管的下方，所述匀气结构包括匀气筒，所述匀气筒采用中心同轴且相互旋转的内匀气筒和...
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刻蚀系统工艺腔室
1.本外观设计产品的名称：刻蚀系统工艺腔室。;2.本外观设计产品的用途：用于中性粒子刻蚀系统、也可用于等离子刻蚀、去胶、清洗、沉积、注入、键合等带有预腔室结构的半导体工艺系统。;3.本外观设计的设计要点：外部形状。;4....
席峰胡冬冬屈芙蓉刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
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一种进气结构
本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构，包括进气管、匀气筒和匀气盘，所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部，所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内，所述...
席峰胡冬冬刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
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产生中性粒子束装置及方法
本发明公开了一种产生中性粒子束装置包括射频电源、平面螺旋型射频线圈、反应腔体、放置芯片的载片台、法拉第屏蔽栅、等离子源、上网板及中网板。还公开一种产生中性粒子束方法。根据本发明提供的产生中性粒子束装置及方法，解决了等离子...
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