周国方
- 作品数:7 被引量:0H指数:0
- 供职机构:合肥工业大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法
- 本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上,通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发,在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极,然后通...
- 吴春艳吴义良周国方王文坚毛盾于永强罗林保王莉
- 文献传递
- p型CuInS_2花状微球的液相可控合成及其电学性能表征
- 2013年
- 以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在乙二醇(EG)中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)以及紫外-可见吸收光谱等表征其形貌、结构及成分,并构建了基于其的底栅型场效应器件(Back-gate FET)。实验结果表明:p型CuInS2微球所需合成温度为200℃,禁带宽度为1.62eV,电导率约为2S·cm-1。CuInS2微球有望用于低耗、高效CuInS2基光伏器件的制备。
- 吴义良周国方王文坚张梓晗吴春艳
- 关键词:微球场效应器件光伏器件
- 金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法
- 本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法,是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极,其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通,与半导体纳米线呈欧姆接触;对另一对金属薄膜电极施加交流电...
- 吴春艳揭建胜王莉于永强胡治中张梓晗周国方
- 金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法
- 本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法,是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极,其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通,与半导体纳米线呈欧姆接触;对另一对金属薄膜电极施加交流电...
- 吴春艳揭建胜王莉于永强胡治中张梓晗周国方
- 文献传递
- 基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法
- 本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上,通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发,在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极,然后通...
- 吴春艳吴义良周国方王文坚毛盾于永强罗林保王莉
- 复杂结构无机晶体的可控合成
- 2011年
- 文章介绍了晶体形状的形成机理并综述了复杂结构无机晶体的可控合成方法。晶体形状是由其生长习惯和分形生长确定的,液相合成利用实验条件调整晶体本身的生长习惯,被证明是复杂结构无机晶体最广泛使用也是最成功的合成方法之一;电沉积法由于可以随意地设计晶体的生长条件和生长环境,同时可以随时停止和随时重新开始结晶,为探讨复杂微结构的结构形成机理提供了一种通用且简单的实验途径;自相似生长为晶体生长提供了新的思路,使得尺寸、取向和形貌可控的较大的等级结构的合成成为可能。
- 吴春艳张梓晗周国方
- 关键词:无机晶体
- CuInS2纳米结构的液相合成及其光电特性研究
- 铜基硫属化合物是一类重要的半导体材料,在催化、化学传感器、光电子器件、太阳能电池等领域有着广泛的应用。本文以三元铜基硫属化合物铜铟硫(CuInS2)和二元铜基硫属化合物硒化铜(Cu1.8Se、Cu2-xSe)为研究对象,...
- 周国方
- 关键词:液相合成光电特性半导体材料
- 文献传递