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于永强: 作品数：88 被引量：35H指数：4; 供职机构：合肥工业大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

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一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法: 本发明公开了一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO<Sub>2</Sub>绝缘层；在各层SiO<Sub>2</Sub>绝缘层的中心皆形成有一...; 于永强毕然程旭徐艳何圣楠卢志坚许高斌

PLD制备ZnO薄膜及非晶纳米棒的结构与性质研究: 氧化锌/(ZnO/)是一种宽禁带直接带隙/(室温下3.3eV/)II-VI族化合物半导体,激子结合能较大/(60 meV/),为六方纤锌矿结构。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性和压敏性,且易于与多种...; 于永强; 关键词：脉冲激光沉积 X射线衍射原子力显微镜扫描电子显微镜; 文献传递

一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法: 本发明公开了一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：在n型GaAs基底上覆盖一层超薄的钝化层，将石墨烯转移到覆盖钝化层的n型GaAs基底上，实现基于石墨烯/钝化层/n型GaAs肖特基结的光电二极管...; 罗林保胡瀚于永强王元谢超王先贺; 文献传递

金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法: 本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通，与半导体纳米线呈欧姆接触；对另一对金属薄膜电极施加交流电...; 吴春艳揭建胜王莉于永强胡治中张梓晗周国方

高性能一维半导体纳米光电探测器的制备及应用: 一维半导体纳米结构具有独特的光电特性，在纳米光电探测领域具有重要的应用前景。其优点包括(i)纳米尺寸，适合器件小型化并具有纳米空间分辨率；(Ⅱ)单晶晶体质量，光电转换效率高；(Ⅱi)一维结构相关的偏振探测能力；(iv)表...; 揭建胜于永强张希威吴翟王莉吴春艳; 关键词：有机半导体

射频磁控溅射法制备SnS_2薄膜结构和光学特性的研究被引量：4: 2016年; 采用射频磁控溅射法溅射SnS_2靶,在玻璃基片上以不同射频功率和氩气压强制备一系列薄膜样品,研究了不同工艺条件对薄膜特性的影响。利用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)对薄膜样品的晶体结构和物相进行表征分析。利用X射线能量色散谱(EDS)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)对SnS_2薄膜的化学组分、光学特性等进行测试,计算或分析了SnS_2薄膜样品的组分原子比、光学常数和光学带隙。结果表明:制备SnS_2薄膜的最佳工艺条件为射频功率60 W、氩气压强0.5 Pa。在该条件下,所制备的SnS_2薄膜沿(001)晶面择优取向生长,可见光透过率和折射率较高,消光系数较小,直接带隙为2.81 e V。在此基础上,进一步制备了n-SnS_2/p-Si异质结器件。器件具有良好的整流特性及弱光伏特性,反向光电流随光照强度的增加而增大。器件的光电导机制是由SnS_2禁带中陷阱中心的指数分布所控制。; 李学留刘丹丹梁齐史成武于永强; 关键词：射频磁控溅射光学特性异质结器件

一种硅基微腔窄带近红外光电探测器: 本发明公开了一种硅基微腔窄带近红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底；单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在硅微孔阵列上设置有上绝缘层；在单晶硅衬底下表面转移有石墨烯薄膜，形成石墨烯‑硅肖特基异质结；在...; 于永强宋龙梅夏宇刘佳杨许高斌马渊明陈士荣; 文献传递

氧气压强对PLD制备MgZnO薄膜光学性质的影响(英文)被引量：1: 2010年; 使用准分子脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基片上制备了高度c轴取向的MgZnO薄膜。分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。实验发现氧气压强对MgZnO薄膜的结构和光学性质有重要影响。当氧气压强由5 Pa增大到45 Pa时,薄膜的PL谱紫外峰蓝移了86meV,表明氧气压强的增大提高了MgZnO薄膜中Mg的溶解度。在15 Pa氧气压强下制备的薄膜显示了独特、均匀的六角纳米柱状结构,其PL谱展示了优异的发光特性,具有比其他制备条件下超强的紫外发射和微弱的可见发光。500600 nm范围内的绿光发射,我们讨论其机理可能源于深能级中与氧相关的缺陷。使用PLD得到纳米柱状结构表明：优化制备条件,可望使用PLD制备ZnO纳米阵列的外延衬底;可使用PLD技术开发基于ZnO纳米结构的高效发光器件。; 汪壮兵王莉吴春艳于永强胡治中梁齐许小亮揭建胜; 关键词：蓝移

透射式镀膜牛顿环实验的研究被引量：4: 2016年; 牛顿环具有反射式和透射式干涉环,透射式干涉环对比度不高,实验效果差,文章对牛顿环装置进行了镀膜处理,研究了薄膜对透射式牛顿环的影响,结果表明,反射率为20%及40%的单侧薄膜均能很好地提高透射式牛顿环的对比度,且对比度随着单侧薄膜反射率的增加而提高,反射率为20%的双侧膜所获得的牛顿环对比度要优于反射率为40%的单侧膜。研究改善了透射式牛顿环实验的观察效果,提高了测量精度,为牛顿环实验装置提供了更好的观察环境。; 朱志峰吴本科于永强刘彩霞肖苏; 关键词：牛顿环等厚干涉透射式镀膜对比度

一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法: 一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法，是在水平管式炉中进行化学气相沉积方法，在1000-1100℃蒸发IIB-VIB族材料，在保温过程中引入硅烷，或同时引入III族或V族气态掺杂元素，由于硅与II...; 揭建胜王莉于永强吴春艳彭强卢敏任勇斌; 文献传递