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张梓晗

作品数:7 被引量:0H指数:0
供职机构:合肥工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇纳米
  • 5篇光刻
  • 4篇紫外光刻
  • 4篇金属薄膜电极
  • 2篇电场
  • 2篇电池
  • 2篇一维纳米
  • 2篇一维纳米结构
  • 2篇异质结
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇准一维
  • 2篇准一维纳米结...
  • 2篇铟锡氧化物
  • 2篇纳米太阳能电...
  • 2篇纳米线
  • 2篇金属
  • 2篇金属纳米
  • 2篇金属纳米线
  • 2篇交流电场
  • 2篇半导体

机构

  • 7篇合肥工业大学

作者

  • 7篇张梓晗
  • 7篇吴春艳
  • 5篇王莉
  • 5篇于永强
  • 5篇揭建胜
  • 4篇周国方
  • 4篇吴义良
  • 3篇吕鹏
  • 3篇罗林保
  • 3篇王文坚
  • 2篇胡治中

传媒

  • 1篇合肥工业大学...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法
本发明公开了基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法,首先通过一次紫外光刻的方法在CuS准一维纳米结构上制备一对金属薄膜电极,这对金属薄膜电极通过所述CuS准一维纳米结构连通,与其呈欧姆接触;然后通过二次紫外光...
吴春艳张梓晗吕鹏吴义良王文坚于永强王莉罗林保揭建胜
文献传递
p型CuInS_2花状微球的液相可控合成及其电学性能表征
2013年
以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在乙二醇(EG)中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)以及紫外-可见吸收光谱等表征其形貌、结构及成分,并构建了基于其的底栅型场效应器件(Back-gate FET)。实验结果表明:p型CuInS2微球所需合成温度为200℃,禁带宽度为1.62eV,电导率约为2S·cm-1。CuInS2微球有望用于低耗、高效CuInS2基光伏器件的制备。
吴义良周国方王文坚张梓晗吴春艳
关键词:微球场效应器件光伏器件
金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法
本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法,是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极,其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通,与半导体纳米线呈欧姆接触;对另一对金属薄膜电极施加交流电...
吴春艳揭建胜王莉于永强胡治中张梓晗周国方
基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法
本发明公开了基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法,首先通过一次紫外光刻的方法在CuS准一维纳米结构上制备一对金属薄膜电极,这对金属薄膜电极通过所述CuS准一维纳米结构连通,与其呈欧姆接触;然后通过二次紫外光...
吴春艳张梓晗吕鹏吴义良王文坚于永强王莉罗林保揭建胜
文献传递
一种制备蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版的方法
针对现有蒸镀电极用掩膜版或加工成本高或精度差的不足,本发明公开了蒸镀电极的免光刻高精度铜箔掩模版的制备方法,是在铜箔表面旋涂正性光刻胶,通过紫外曝光工艺,在铜箔上形成所需的电极图形,然后将此铜箔放入铜刻蚀液中,在光刻胶的...
吴春艳张梓晗吴义良吕鹏罗林保王莉于永强揭建胜
文献传递
金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法
本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法,是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极,其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通,与半导体纳米线呈欧姆接触;对另一对金属薄膜电极施加交流电...
吴春艳揭建胜王莉于永强胡治中张梓晗周国方
文献传递
复杂结构无机晶体的可控合成
2011年
文章介绍了晶体形状的形成机理并综述了复杂结构无机晶体的可控合成方法。晶体形状是由其生长习惯和分形生长确定的,液相合成利用实验条件调整晶体本身的生长习惯,被证明是复杂结构无机晶体最广泛使用也是最成功的合成方法之一;电沉积法由于可以随意地设计晶体的生长条件和生长环境,同时可以随时停止和随时重新开始结晶,为探讨复杂微结构的结构形成机理提供了一种通用且简单的实验途径;自相似生长为晶体生长提供了新的思路,使得尺寸、取向和形貌可控的较大的等级结构的合成成为可能。
吴春艳张梓晗周国方
关键词:无机晶体
共1页<1>
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