刘杰
- 作品数：44 被引量：28H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理理学天文地球更多>>
- 可持续的城市设计及其单体的建筑设计—风力发电建筑设计
- 可持续性的城市物质空间规划对城市气候影响的系统研究直到最近才刚刚开始起步,各种理论建议被提出：包括城市热岛效应,城市风场,城市辐射和日照等；在建筑层面的可持续技术策略相对比较成熟,包括群体建筑排布方式,建筑物的遮阳、自然...
- 刘杰
- 关键词：高层建筑风力发电技术AIRPAK
- 文献传递
- 土质边坡分布式光纤应变监测方法和系统
- 本发明是土质边坡分布式光纤应变监测方法，在边坡坡面，沿边坡走向并行布设若干条专用光缆，至少在靠近坡顶和坡角的位置各布设一条即可；通过在测斜管的外表面对称粘贴两条光纤，借助测量测斜管的应变得到深部土体的变形。通过将各条特殊...
- 施斌张丹王宝军隋海波王小明朱友群魏广庆朴春德刘春陈峰军何亮胡盛李科刘杰张巍
- 文献传递
- 自然数的两类通用表示
- 用多项式值表示整数是数论的经典研究课题。设a，b，d为正整数，c∈{0，1，…，b}，e∈{0，1，…，d}，b≡c(mod2)且d≡e(mod2).我们证明了如果每个自然数（即非负整数）可表示成ax4+y（by+c）/...
- 刘杰
- 文献传递
- 中国现代政治学形成之研究
- 本文主要考察了中国现代政治学的形成过程。
本文认为中国现代政治学的历史，主要就是西方政治科学的概念、理论和方法在中国的介绍、引进和本土化的过程。这个过程，开始于西学东渐之后西方政治知识在中国的传播，经过很长时间的知...
- 刘杰
- 大型工程布里渊散射光时域光纤网监测技术(BOTDR)研究
- 施斌张丹王宝军张巍徐洪钟丁勇高俊启隋海波索文斌刘杰崔何亮巍广庆朴春德
- 该项目选择国际尖端监测技术布里渊散射光时域光纤网监测技术(BOTDR)作为重点研究，将在光纤网监测和遥感远程测试系统的建立，特种光纤传感器的研制，光纤线路埋设方法，测试装置开发，工程学光纤测试原理的解析等方面进行开拓性研...
- 关键词：
- 关键词：监测技术
- Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
- 2001年
- 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。
- 沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓Someya TArakawa Y
- 关键词：C-V特性铁电薄膜ALXGA1-XN/GAN
- 电容-电压法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结压电极化效应(英文)被引量：1
- 2001年
- 制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。
- 俞慧强沈波周玉刚张荣刘杰周慧梅施毅郑有炓Someya TArakawa Y
- 关键词：压电极化异质结
- Pb(Zr<sub>0.53</sub>Ti<sub>0.47</sub>)O<sub>3</sub>/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1
- 2001年
- 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。
- 沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓Someya TArakawa Y
- 关键词：C-V特性铁电薄膜ALXGA1-XN/GAN
- 电容-电压法研究Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结压电极化效应（英文）
- 2001年
- 制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。
- 俞慧强沈波周玉刚张荣刘杰周慧梅施毅郑有炓Someya TArakawa Y
- 关键词：压电极化
- Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）
- 2001年
- 在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。
- 郑泽伟沈波刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有炓蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩Someya TArakawa Y
- 关键词：二维电子气
