公共文化服务平台

刘力锋: 作品数：19 被引量：22H指数：2; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2: 2004年; 利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子浅注入到 p型 Si单晶衬底 ,注入深度约为 4 2 nm.X射线衍射法 (XRD)对热处理样品结构分析发现只有 Si衬底的衍射峰 ,没有其他新相 .X射线光电子能谱法 (XPS)对热处理样品表面分析发现 Fe2 p束缚能对应于单质 Fe的峰 ,没有形成 Fe的硅化物 .这些结果表明重掺杂 Fe的 Si∶ Fe固溶体被制备 .电化学 C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布 ,发现 Fe重掺杂 Si致使 Si的导电类型从 p型转为 n型 ,Si∶ Fe固溶体和 Si衬底形成 pn结。; 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：硅低能离子束重掺杂

在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法: 一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制...; 刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏柴春林; 文献传递

低能离子束方法制备Mn-Si薄膜: 采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)分析了样品的组分特性,X-射线衍射法(XRD)和原子力显微镜法(AFM)分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明300℃下制备的样品Mn...; 刘力锋陈诺夫柴春林杨少延刘志凯; 关键词：低能离子束 X-射线衍射; 文献传递

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe薄膜: 利用质量分离的低能离子束技术,得到了重掺杂磁性杂质Fe的Si:Fe固溶体薄膜.俄歇电子能谱法(AES),X射线衍射法(XRD)以及X射线光电子能谱法(XPS)对薄膜特性进行测试.AES深度分析结果表明Fe离子浅注入到Si...; 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：低能离子束重掺杂硅俄歇电子能谱; 文献传递

在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法: 一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制...; 刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏柴春林; 文献传递

砷化镓基半磁半导体及锰砷纳米粒子制备研究: 杨瑞霞袁炳辉张富强刘力锋王胜利邓艺文; 该项目通过不同注入和退火条件的组合，实现了对GaAs:MnAs磁性半导体中MnAs粒子生长过程、尺度、密度和分布的控制，制备出铁磁居里温度在320K左右，室温矫顽力在200-600Oe范围的GaAs:MnAs磁性半导体，...; 关键词：

热处理对非掺杂半绝缘LEC GaAs电特性的影响被引量：2: 2001年; 对非掺杂（ＮＤ）半绝缘（ＳＩ）液封直拉（ＬＥＣ）ＧａＡｓ单晶在９５０℃下进行了不同Ａｓ压的热处理，研究了热处理对材料电特性的影响．发现在９５０℃温度和低Ａｓ压条件下进行１４ｈ热处理，可在样品中引入本征受主缺陷，并导致体霍尔迁移率大幅下降和体电阻率明显增加．这些受主缺陷的产生是由于高温和低ＡＳ压条件下ＧａＡｓ晶体中发生Ａｓ间隙原子的外扩散．提高热处理过程中的Ａｓ气压，可抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化．; 刘力锋杨瑞霞郭惠; 关键词：电特性单晶

高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响: 2001年; 研究了１１２０℃ 高温淬火对非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡＳ中ＥＬ２浓度的影响．发现真空条件Ｔ，在１１２０℃热处理２ｈ～８ｈ并快速冷却后，样品中ＥＬ２浓度下降近一个数量级，提高高温过程中的ＡＳ压，可抑制ＥＬ２浓度的大幅下降．; 杨瑞霞刘力锋郭惠; 关键词：砷化镓集成电路

Mn注入n型Ge单晶的磁性研究: 2004年; 利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理.利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样品的结构特性,俄歇电子能谱法分析了热处理样品的组分特性.磁性测试结果表明热处理后的样品表现出室温下的铁磁性.结合样品的组分、结构特征进行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁磁性半导体MnxGe1-x结构可能是样品表现室温铁磁性的主要原因.; 刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏周剑平; 关键词：离子注入铁磁性