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何光

作品数：3 被引量：7H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇晶体管
  • 2篇高温
  • 2篇SIC_ME...
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇有限差分
  • 1篇有限差分法
  • 1篇耦合法
  • 1篇金属-半导体...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇SIC
  • 1篇MESFET
  • 1篇差分法

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇何光
  • 2篇张义门
  • 2篇张玉明
  • 1篇吕红亮
  • 1篇李跃进
  • 1篇傅俊兴
  • 1篇朱作云
  • 1篇詹永玲
  • 1篇杨银棠
  • 1篇韩晓亮
  • 1篇尚也淳
  • 1篇柴常春
  • 1篇高海霞
  • 1篇贾护军
  • 1篇汪家友
  • 1篇高洪福

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1998
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
SiC高温半导体器件技术
杨银棠张义门李跃进张玉明柴常春贾护军朱作云汪家友傅俊兴尚也淳高洪福韩晓亮何光詹永玲高海霞
该项目是新型半导体材料和器件技术研究领域重要的前沿研究课题，主要研究成果包括：研制建立了可用于SiC材料生长的常压化学气相淀积系统、研究了SiC材料掺杂技术、研究了SiC材料上氧化层制备技术、在SiC材料上用磁控溅射的方...
关键词：
关键词：SIC
SiC MESFET温度特性研究
该文在漂移-扩散模型的基础上,用有限差分法耦合求解泊松方程、电流连续性方程和热流方程.
何光
关键词：高温碳化硅金属-半导体场效应晶体管有限差分法耦合法
高温SiC MESFET特性模拟研究被引量：7
2001年
在建立SiC材料和器件的有关模型基础上 ,运用二维器件模拟器MEDICI在 2 0 0～ 70 0K温度范围内 ,对 4H SiCMESFET的直流和交流小信号特性进行了模拟与分析 .将模拟所得到的高温特性典型参数与实验值进行比较分析 ,得到较满意的结果 .
吕红亮张义门张玉明何光
关键词：碳化硅MESFET场效应晶体管
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共1页<1>
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