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高洪福

作品数：2 被引量：9H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅半导体
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇化学气相
  • 1篇硅半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇SIC

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇高洪福
  • 1篇李跃进
  • 1篇杨银堂
  • 1篇傅俊兴
  • 1篇朱作云
  • 1篇詹永玲
  • 1篇何光
  • 1篇杨银棠
  • 1篇温浩宇
  • 1篇韩晓亮
  • 1篇尚也淳
  • 1篇柴常春
  • 1篇高海霞
  • 1篇张义门
  • 1篇贾护军
  • 1篇张玉明
  • 1篇汪家友

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
碳化硅半导体技术新进展被引量：9
1998年
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题．
杨银堂高洪福温浩宇
关键词：碳化硅晶体生长
SiC高温半导体器件技术
杨银棠张义门李跃进张玉明柴常春贾护军朱作云汪家友傅俊兴尚也淳高洪福韩晓亮何光詹永玲高海霞
该项目是新型半导体材料和器件技术研究领域重要的前沿研究课题，主要研究成果包括：研制建立了可用于SiC材料生长的常压化学气相淀积系统、研究了SiC材料掺杂技术、研究了SiC材料上氧化层制备技术、在SiC材料上用磁控溅射的方...
关键词：
关键词：SIC
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