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严琼

作品数:5 被引量:4H指数:1
供职机构:华东师范大学信息科学技术学院微电子电路与系统研究所更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇绝缘体上硅
  • 2篇电压钳
  • 2篇增益
  • 2篇静电防护
  • 2篇功耗
  • 2篇功率增益
  • 2篇传输线脉冲
  • 1篇心电
  • 1篇心电信号
  • 1篇提升小波
  • 1篇体效应
  • 1篇去噪
  • 1篇去噪算法
  • 1篇小波
  • 1篇小波域
  • 1篇滤波器
  • 1篇功率
  • 1篇功率单元
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器

机构

  • 5篇华东师范大学

作者

  • 5篇严琼
  • 4篇赖宗声
  • 3篇陈磊
  • 3篇张书霖
  • 3篇刘盛富
  • 3篇苏杰
  • 2篇石春琦
  • 2篇华林
  • 2篇张伟
  • 2篇阮颖
  • 1篇殷俊鹏
  • 1篇田应洪
  • 1篇石艳玲
  • 1篇张伟

传媒

  • 1篇计算机工程
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构,电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...
严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖
0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模
2011年
对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus软件中的BSI MSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数。对于部分耗尽SOI器件的固有浮体效应和kink效应,采用体接触方法来缓解其负面影响。
张书霖陈磊严琼张伟刘盛富苏杰赖宗声石艳玲徐世美杨飞
关键词:绝缘体上硅CMOS浮体效应
基于小波域数字滤波的心电信号BW去噪算法被引量:4
2013年
针对心电信号处理中基线漂移噪声难以消除的问题,提出一种基于小波域数字滤波的基线漂移去噪算法。采用提升小波分解心电信号,对最高层尺度系数做数字高通滤波处理,并重构得到去除基线漂移的信号。对MIT/BIH数据库中含噪原始心电数据进行仿真实验,结果表明,该算法在计算复杂度和性能方面能取得比传统算法更好的平衡,在10 dB的信噪比下,其均方误差仅为0.001 8。
殷俊鹏田应洪赖宗声严琼
关键词:心电信号提升小波高通滤波器
用于EoC的CMOS功率放大器设计与实现
EoC (Ethernet over Cable,以太数据通过同轴电缆传输)技术以其高稳定性、高可靠性、成本低廉的优势,成为基于EPON的双向网改造技术首选。目前我国正在加速三网融合,基于EoC技术的电路设计研究受到学术...
严琼
关键词:EOCCMOS功率放大器功率单元
文献传递
一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构,电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...
严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖
文献传递
共1页<1>
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