张书霖
- 作品数：16 被引量：6H指数：1
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院微电子电路与系统研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
- 本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...
- 严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖
- 用于UHF RFID阅读器的自动频率校准模拟基带
- 2013年
- 基于0.18μm标准CMOS工艺,提出了一种适用于超高频射频识别阅读器的自动频率校准模拟接收基带。该模拟基带包含直流偏移消除电路和信道选择滤波器,直流偏移消除电路有6dB的预增益,信道选择滤波器采用8阶巴特沃斯结构。在频率校准电路的作用下,滤波器能够分别对250kHz和1.35MHz截止频率进行校准,校准时间小于3μs。后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,整个模拟基带消耗12mA电流,截止频率为1.35MHz,10dB增益条件下带内输入3阶交调达到12dBm,在30dB增益时,带内噪声系数为26dB。
- 尤琳张书霖袁圣越石春琦张润曦
- 一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器
- 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功...
- 张书霖陈磊赖宗声苏杰张伟华林刘盛富阮颖
- 一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器
- 本发明公开了一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器，该混频器包括跨导级、开关级和尾电流源电路。整体电路采取的是锗化硅双极-互补金属氧化物半导体工艺技术，结合了双极型器件和互补金属氧化物半导体两者的优点，能够有效地降低电...
- 张伟陈磊赖宗声华林刘盛富张书霖苏杰阮颖
- 文献传递
- UHF RFID阅读器接收机中自调谐可编程模拟基带电路设计
- 在当今物联网技术逐渐应用到各个领域的背景下,作为物联网核心技术之一的超高频射频识别技术(UHF RFID)发展迅速,低成本、高性能、高集成度是大势所趋。本文研究目的在于设计一款适用于低成本、高集成度UHF RFID阅读器...
- 张书霖
- 关键词：全通滤波器
- 文献传递
- 用于WCDMA发射机系统的SiGe BiCMOS上变频混频器被引量：1
- 2011年
- 设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。
- 张伟刘盛富张书霖陈磊赖宗声
- 关键词：上变频混频器电流注入BICMOSWCDMA
- UHF RFID阅读器中增益可控驱动放大器的设计被引量：1
- 2011年
- 基于宏力半导体公司0.18μm SiGe HBT工艺,提出了一种应用于UHF（860~960MHz）RFID频段的增益可控驱动放大器（DA）。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基（Cascode）结构,其中,增益控制由三对结构相同的共射电路通过外加偏压实现,增益可控的步长为3 dB。仿真结果显示,在1.8 V电源电压下、910 MHz频段处,增益（S21）分别达到17 dB、20 dB和23 dB,噪声系数（NF）分别为3 dB、2.6 dB和2.2 dB,并且实现了良好的输入输出匹配。
- 刘盛富张伟张书霖陈磊冉峰赖宗声
- 关键词：SIGEHBT驱动放大器增益可控噪声系数
- UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计被引量：1
- 2013年
- 设计了一种工作在860～960 MHz频段内,用于UHF RFID阅读器的单芯片射频功率放大器(PA).概述了PA适用的UHF RFID通信标准和采用的0.18μm SiGe BiCMOS工艺技术,分析了PA匹配电路和自适应偏置电路的设计方法,给出了PA芯片的电路结构和芯片测试结果.
- 阮颖张书霖
- 关键词：SIGEBICMOS工艺超高频阅读器
- 一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
- 本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...
- 严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖
- 文献传递
- 2.4GHz SiGe BiCMOS功率放大器核心电路设计被引量：1
- 2011年
- 基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4-2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结构,优化了电路结构和元件参数,并使用片上和片外电感电容进行匹配。仿真结果表明,电路在2.4~2.5 GHz频率范围内,增益（S21）达到21 dB,输入和输出匹配（S11,S22）分别达-到17 dB和-22 dB,1 dB输出压缩点为16.7 dBm。在电源电压为3.3 V时,电路总消耗电流为275 mA。
- 苏杰张书霖陈磊赖宗声
- 关键词：SIGEBICMOS功率放大器S参数
