刘盛富
- 作品数：12 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
- 本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...
- 严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖
- 嵌入式多模多频低噪声放大器关键技术研究
- 移动通信技术和物联网技术的发展对射频芯片的设计提出了更高的要求。尽管单模通信系统可以满足用户的特定需求,但是多模多频系统可以支持不同协议标准,能满足用户更多的需求。嵌入式的多模多频射频收发系统将是射频芯片设计发展的重要趋...
- 刘盛富
- 关键词：多模多频共源共栅宽带低噪声放大器噪声抵消
- 一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器
- 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功...
- 张书霖陈磊赖宗声苏杰张伟华林刘盛富阮颖
- 一种可变增益低噪声驱动放大器
- 本发明公开了一种可变增益低噪声驱动放大器，该放大器采用全差分共源共栅结构，共栅级采用三个并排的锗化硅双极型晶体管，中间的锗化硅双极型晶体管采用并联电容反馈，采用合理的输入输出匹配电路，为电路提供一个高的可变增益，降低了噪...
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- 文献传递
- 一种可变增益低噪声驱动放大器
- 本发明公开了一种可变增益低噪声驱动放大器，该放大器采用全差分共源共栅结构，共栅级采用三个并排的锗化硅双极型晶体管，中间的锗化硅双极型晶体管采用并联电容反馈，采用合理的输入输出匹配电路，为电路提供一个高的可变增益，降低了噪...
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- 一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器
- 本发明公开了一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器，该混频器包括跨导级、开关级和尾电流源电路。整体电路采取的是锗化硅双极-互补金属氧化物半导体工艺技术，结合了双极型器件和互补金属氧化物半导体两者的优点，能够有效地降低电...
- 张伟陈磊赖宗声华林刘盛富张书霖苏杰阮颖
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- 一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
- 本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...
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- 0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模
- 2011年
- 对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus软件中的BSI MSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数。对于部分耗尽SOI器件的固有浮体效应和kink效应,采用体接触方法来缓解其负面影响。
- 张书霖陈磊严琼张伟刘盛富苏杰赖宗声石艳玲徐世美杨飞
- 关键词：绝缘体上硅CMOS浮体效应
- 一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器
- 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功...
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- 用于WCDMA发射机系统的SiGe BiCMOS上变频混频器被引量：1
- 2011年
- 设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。
- 张伟刘盛富张书霖陈磊赖宗声
- 关键词：上变频混频器电流注入BICMOSWCDMA
