陈辉
- 作品数：33 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目中科院重大科研装备研制项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件及其制备方法
- 本发明公开一种无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：（1）挑选零微管道的整块单晶碳化硅晶锭；（2）对该单晶碳化硅晶锭进行切割，得到粗坯；（3）对粗坯进行双面研磨，得到两个平行的粗磨...
- 黄维陈辉忻隽王乐星卓世异孔海宽施尔畏
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- 大应力碳化硅晶体的初加工方法
- 本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割...
- 陈辉庄击勇王乐星黄维杨建华施尔畏
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- 一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置
- 本实用新型提供了一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置，包括：夹持晶锭的夹具；调节偏角方向的偏角调节模块；以及吸附于磨床的基底；其中，所述偏角调节模块为双正弦模块。本实用新型可保证碳化硅晶体偏角晶面的一次定向成型，避免了常规偏...
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- 碳化硅晶体的定型定向的切割方法
- 本发明涉及一种碳化硅晶体的定型定向的切割方法，至少包括：对多个碳化硅晶锭进行整形处理并滚圆至所需尺寸的预处理工序；以及将多个所得碳化硅晶锭依次粘接成一个整体后同时进行切割的切割工序。本发明将多个碳化硅晶锭粘接成一个整体，...
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- 近化学计量比铌酸锂晶体(S-LN)生长技术攻关
- 王绍华郑燕青施尔畏路治平崔素贤陈辉李贇孔令忠
- 该项目自主设计并采用双坩埚排液技术，成功生长出了高质量的2英寸S-LN晶体，取得了技术上的突破。对原料合成和预处理的科学和工艺技术进行了研究，同时对生长工艺参数的优化进行了研究。研究了S-LN晶体的生长习性和生长缺陷，并...
- 关键词：
- 关键词：近化学计量比
- Sr3NbGa3Si2O14压电晶体的生长与电弹常数表征
- 近年来,硅酸镓镧(La3Ga5SiO14、LGS)晶体由于其优异的压电性能而被广泛关注,该晶体具有较大的压电系数和三倍于石英晶体的机电耦合系数,同时具有零温度频率系数切型、高温无相变等优点。其晶体结构式可表达为A3BC3...
- 孔海宽陈建军郑燕青忻隽陈辉
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- 高均匀性高掺镁铌酸锂晶体的生长与表征被引量：2
- 2010年
- 采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀件,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度△n、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构.结果表明:通过采用合适的生长组分和改进提拉法生长工艺获得了高质量的高掺镁铌酸锂晶体.晶体的紫外吸收边位于308 nm附近,OH吸收峰位于高抗光损伤阈值特征峰2828 nm处,光学均匀性达△n<5.11×10^(-5).在1200℃下通过外加电场极化获得了高均匀性且完全单畴的铁电畴结构.
- 涂小牛郑燕青陈辉孔海宽忻隽曾一明施尔畏
- 关键词：畴结构光学均匀性
- 用于碳化硅晶体的光学级平面加工的抛光装置及加工方法
- 本发明涉及用于碳化硅晶体的光学级平面加工的抛光装置及加工方法，所述抛光装置包括：承载抛光液且能够旋转的抛光底盘；位于所述抛光底盘上方且用于承载待抛光晶片的各向抛光分离环；以及使各向抛光分离环旋转的传动机构；其中，所述各向...
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- Si_3N_4晶体的压电性能第一性原理研究被引量：1
- 2011年
- Si3N4是一种具有多种优越物化性能的多功能材料.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算对Si3N4的高低温相(β、α)进行了对比研究.对于α相,计算得晶格常数a=0.7678nm、c=0.5566nm,弹性刚度系数c11=4.232×1011N/m2、c33=4.615×1011N/m2,压电应变常量d33=0.402pC/N;而对于β相,a=0.7536nm、c=0.2874nm,弹性刚度系数c11=4.241×1011N/m2、c33=5.599×1011N/m2,压电应变常量则几乎为零.分析表明Si3N4的α、β两相均为高硬高强材料,这与其结构由四面体组成的网络架构有关.而Si3N4高低温相的压电性能都很差,特别是β相的压电系数几乎为零,这与其结构的对称性有关,高温相结构的对称性更高,形变引起的离子位移响应抵消更多.
- 曾一明郑燕青忻隽孔海宽陈辉涂小牛施尔畏
- 关键词：SI3N4压电性能第一性原理晶体结构
- 一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶托
- 本发明涉及一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶托，所述石墨籽晶托包括石墨基底和设置于石墨基底面向籽晶一侧的表面上的致密碳化硅多晶层，所述籽晶通过粘结剂连接至所述致密碳化硅多晶层。
- 高攀陈辉刘熙孔海宽郑燕青施尔畏
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