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庄击勇

作品数：17 被引量：72H指数：4
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇碳化硅
  • 7篇晶片
  • 4篇单晶
  • 4篇夹持
  • 4篇夹具
  • 3篇多线切割机
  • 3篇粘结
  • 3篇手柄
  • 3篇通气
  • 3篇通气管
  • 3篇通气管道
  • 3篇气阀
  • 3篇气囊
  • 3篇晶体
  • 3篇半导体
  • 2篇氮化镓
  • 2篇应力
  • 2篇正弦
  • 2篇碳化硅单晶
  • 2篇偏角

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇吉林大学
  • 1篇华东地质学院

作者

  • 17篇庄击勇
  • 13篇施尔畏
  • 12篇陈辉
  • 8篇黄维
  • 8篇卓世异
  • 4篇肖兵
  • 3篇陈之战
  • 3篇刘学超
  • 1篇束碧云
  • 1篇仲维卓
  • 1篇元如林
  • 1篇李汶军
  • 1篇王世忠
  • 1篇徐良瑛
  • 1篇刘先才
  • 1篇王步国
  • 1篇田明原

传媒

  • 3篇无机材料学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
大应力碳化硅晶体的初加工方法
本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割...
陈辉庄击勇王乐星黄维杨建华施尔畏
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一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置
本实用新型提供了一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置，包括：夹持晶锭的夹具；调节偏角方向的偏角调节模块；以及吸附于磨床的基底；其中，所述偏角调节模块为双正弦模块。本实用新型可保证碳化硅晶体偏角晶面的一次定向成型，避免了常规偏...
陈辉庄击勇黄维王乐星卓世异施尔畏
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碳化硅晶体的定型定向的切割方法
本发明涉及一种碳化硅晶体的定型定向的切割方法，至少包括：对多个碳化硅晶锭进行整形处理并滚圆至所需尺寸的预处理工序；以及将多个所得碳化硅晶锭依次粘接成一个整体后同时进行切割的切割工序。本发明将多个碳化硅晶锭粘接成一个整体，...
陈辉庄击勇王乐星黄维杨建华施尔畏
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用于碳化硅晶体的光学级平面加工的抛光装置及加工方法
本发明涉及用于碳化硅晶体的光学级平面加工的抛光装置及加工方法，所述抛光装置包括：承载抛光液且能够旋转的抛光底盘；位于所述抛光底盘上方且用于承载待抛光晶片的各向抛光分离环；以及使各向抛光分离环旋转的传动机构；其中，所述各向...
陈辉庄击勇黄维王乐星卓世异杨建华施尔畏
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气囊式晶片粘结助压手柄
本发明提供一种气囊式晶片粘结助压手柄，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。本发明用于晶片粘结后...
卓世异黄维王乐星陈辉庄击勇刘学超施尔畏
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SiC单晶生长研究进展被引量：3
2002年
SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注。本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响。对今后的研究方向提出了看法。
陈之战施尔畏肖兵庄击勇
关键词：SIC单晶生长碳化硅半导体材料
一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法
本发明提供一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法，该定向切割装置包括：夹持晶锭的夹具；控制首片厚度的影像监测系统，以及对所述晶锭进行切割的多线切割机，夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座，所述影像监测系统将...
陈辉庄击勇黄维卓世异王乐星施尔畏
原料对碳化硅单晶生长的影响被引量：6
2003年
研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响。实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值。晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si/C=1摩尔比有关,并通过电子探针得到证实。
陈之战施尔畏肖兵庄击勇
关键词：碳化硅单晶相转变针孔
SiC单晶的性质、生长及应用被引量：20
1999年
本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素， 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ
王世忠徐良瑛束碧云肖兵庄击勇施尔畏
关键词：碳化硅单晶半导体器件晶体生长
蓝宝石及碳化硅等硬质晶体原子台阶表面抛光机理
蓝宝石(Al2O3)和碳化硅(SiC)作为新一代高性能单晶衬底材料,已越来越为人们所广泛关注。而衬底的表面加工质量直接影响其上外延层的质量,从而影响最终的器件性能。本文在比较研究蓝宝石和碳化硅在晶体结构、硬度、刚度以及其...
黄维王乐星卓世异陈辉庄击勇施尔畏
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