郑燕青
- 作品数：120 被引量：637H指数：16
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电气工程更多>>
- 水热介质pH值对纳米(Ce)ZrO<,2>晶粒制备的影响
- 用水热法制得纳米(Ce)ZrO<,2>粉体，其晶粒粒度为3～7nm，而且为单一分散。用XRD、TEM分析了水热媒介pH值对粒度、m相含量、晶粒形貌的影响关系。结果表明：水热煤介pH值增大，ZrO<,2>晶粒也增大;pH值...
- 南春施尔畏郑燕青李文军
- 关键词：水热法反应机理
- 文献传递
- 钨酸铅晶粒生长基元及水热制备研究被引量：7
- 2000年
- 钨酸铅 (PbWO4 )晶体结构可看作是钨氧四面体WO4 与铅离子Pb2 +的有序结合 .根据“生长基元”模型 ,钨酸铅晶体的生长基元是由钨氧四面体和铅离子有序结合而成的具有不同几何结构的聚集体 .棱锥体状、四方柱状和四棱柱状生长基元是钨酸铅晶体的有利生长基元 .这些有利生长基元的几何构型与钨酸铅晶体结晶学单形的几何方位相一致 .在低受限度生长条件下 ,钨酸铅晶粒的生长形态是这些有利生长基元几何构型的聚合 .这些结论完全被水热法制备实验结果证实 .
- 元如林施尔畏李汶军郑燕青吴南春仲维卓
- 关键词：钨酸铅晶体生长基元水热法晶体生长
- Sm∶YCOB晶体生长及吸收光谱表征被引量：3
- 2013年
- 采用熔体提拉法生长了高质量Sm3+掺杂YCa4O(BO3)3(YCOB)晶体。通过X射线粉末衍射、高分辨X射线衍射摇摆曲线、ICP-AES、吸收光谱等对晶体的性能进行了研究。发现生长的Sm∶YCOB晶体与YCOB晶体具有相同的结构,结晶质量较好,半高宽可达31弧秒;5at%浓度掺杂时Sm3+在YCOB晶体中分凝系数为0.773;晶体在1400～1600 nm范围内有若干较强的吸收峰。
- 涂一帆涂小牛熊开南郑燕青高攀施尔畏
- 关键词：提拉法吸收光谱
- 氧化物晶体的成核机理与晶粒粒度被引量：71
- 2000年
- 从微观动力学角度研究了晶粒的成核机理，认为晶粒的成核机理主要包括生长基元的形成，生长基元之间的氧桥合作用和Ｏ桥转变为ＯＨ桥．并从成核速度角度分析了影响晶粒粒度的主要原因，揭示了影响晶粒粒度的内部原因为生长基元的生成能、晶体的晶格能．由此总结出不同结构类型的氧化物粉体的晶粒粒度的相对大小．即具有ＣａＦ２或ＴｉＯ２结构的氧化物粉体的晶粒粒度比具有α－Ａｌ２Ｏ３结构的氧化物粉体的晶粒粒度小，具有α－Ａｌ２Ｏ３结构的氧化物粉体的晶粒粒度比具有六方ＺｎＳ结构的氧化物粉体的晶粒粒度小．合理地解释了由水热法制得的氧化物粉体的晶粒粒度差别较大的原因以及溶液的ｐＨ值、反应温度对晶粒粒度的影响．
- 李汶军施尔畏郑燕青陈之战殷之文
- 关键词：成核机理水热法氧化物晶体
- 用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究被引量：8
- 2013年
- SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响。结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N。最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备。
- 高攀刘熙严成锋忻隽陈建军孔海宽郑燕青施尔畏
- 关键词：SIC晶体粒径堆积密度
- ReCa4O(BO3)3(Re=Y,Sm)晶体生长及性能研究
- 压电材料是现代工业中一类非常重要的功能材料,它们被广泛的应用于制作滤波器、谐振器、传感器等器件。随着无线通讯技术的发展,具有较高的温度稳定性和压电活性的稀土硼酸盐ReCaO(BO)(ReCOB)系列晶体备受关注。本文采用...
- 陈建军熊开南郑燕青涂小牛施尔畏
- 关键词：提拉法压电系数
- 文献传递
- 压电晶体元件
- 本发明涉及一种压电晶体元件，属于晶体元件领域。本发明的压电晶体元件包括压电晶体材料(1)，电极层(2)，引线(3)。所述的压电晶体材料，其化学式为A<Sub>3+x</Sub>B<Sub>1+y</Sub>Al<Sub>...
- 郑燕青孔海宽涂小牛陈辉施尔畏
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- 一种熔料补充生长晶体的装置和方法
- 本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置，包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，排液系统(3、12、9)和多坩埚系统(10、8)；其中排液系统与称量系统...
- 郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
- 文献传递
- 晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法
- 本发明涉及晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法，所述坩埚是与制备的晶体侧面相接触的坩埚，所述坩埚具有环式非闭合拼接结构。该晶体生长用坩埚具有环式非闭合拼接结构，因此可以避免紧箍晶体，从而使晶体生长过程中在晶体内聚...
- 高攀王乐星忻隽刘学超郑燕青施尔畏
- 文献传递
- 纳米二氧化钛粉体的多晶型制备及形成机理
- 本文分别以四氯化钛、硫酸钛和钛酸丁酯为前驱物,研究了水热条件下二氧化钛微晶粉体的结晶晶型、晶粒形貌和晶粒度.采用XRD和TEM等分析手段分别对产物的晶相和晶粒形貌进行表征.实验结果表明:对于200℃水热反应,以四氯化钛为...
- 郑燕青施尔畏李汶军仲维卓胡行方
- 关键词：纳米粉体二氧化钛晶粒度XRDTEM
- 文献传递
