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陈桂章

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：电科院预研基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电调
  • 2篇管材料
  • 1篇异质结
  • 1篇振荡器
  • 1篇砷化镓
  • 1篇生长速率
  • 1篇汽相外延
  • 1篇外延炉
  • 1篇高真空
  • 1篇Γ线
  • 1篇SI
  • 1篇硅
  • 1篇X
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇陈桂章
  • 1篇洛红
  • 1篇谢自力
  • 1篇严军
  • 1篇尤民

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1993
  • 1篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
宽带常γ线性电调管材料研究
1993年
报导了宽带常γ线性电调管材料的研制技术及研究结果,给出了材料的多层浓度分布曲线。介绍了用该材料研制的WB70型宽带常γ线性电调管和WB010型砷化镓电调管管芯等器件结果。文中对宽带常γ线性电调管材料的质量进行了讨论。结果表明,适当控制生长速率才能得到较满意的浓度分布曲线;采用[100]向最近的[110]偏一定角度的单晶作衬底进行生长可获得表面形貌光亮的多层外延材料。
陈桂章尤民
关键词：砷化镓汽相外延生长速率
常γ电调管材料质量影响因素的探讨被引量：1
1990年
本文报道了GaAs常γ电调变容管材料的研究.文中分析了GaAs单晶衬底的质量对外延层表面形貌和外延层-衬底间界面状态的影响;研究了外延工艺条件与外延层浓度分布的关系;讨论了外延层载流子浓度分布对器件C-V特性的影响.文中还给出了材料的制管结果.
陈桂章
关键词：GAAS
用于Si_(1-x)Ge_x异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉被引量：1
2000年
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉 ,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长 Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。
谢自力陈桂章洛红过海洲严军
关键词：异质结硅
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共1页<1>
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