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洛红

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：电科院预研基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇硅
  • 1篇低真空
  • 1篇淀积
  • 1篇异质结
  • 1篇气相淀积
  • 1篇外延炉
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇高真空
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体技术
  • 1篇SI
  • 1篇锗
  • 1篇CVD生长
  • 1篇X

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇洛红
  • 3篇谢自力
  • 3篇严军
  • 2篇陈桂章
  • 1篇陈桂章

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
用于Si_(1-x)Ge_x异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉被引量：1
2000年
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉 ,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长 Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。
谢自力陈桂章洛红过海洲严军
关键词：异质结硅
低温低真空CVD生长锗硅异质结外延材料被引量：1
1999年
利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统，应用锗烷和硅烷气体，在２ 英寸到３英寸的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在６６５ ℃，６１０ ℃和５７５℃不同温度分别生长了Ｓｉ０－８Ｇｅ０－２ ，Ｓｉ０－５ Ｇｅ０－５ 和Ｓｉ０－６５Ｇｅ０－３５ 的异质外延层，获得了原子级表面和界面的异质外延材料。结果表明：外延生长速率和Ｇｅ 组分由硅烷和锗烷的分压及生长时的温度控制。并利用Ｘ 射线双晶衍射，扩展电阻和电化学ＣＶ 法研究了ＧｅＳｉ
谢自力陈桂章洛红过海洲严军
关键词：化学气相淀积锗硅
VLP/CVD低温硅外延被引量：4
2001年
研究了 VLP/ CVD低温硅外延生长技术。利用自制的 VLP/ CVD设备 ,在低温条件下 ,成功地研制出晶格结构完好的硅同质结外延材料。扩展电阻、X射线衍射谱和电化学分布研究表明 ,在低温下 (T<80 0°C)应用 VLP/ CVD技术 ,可以生长结构完好的硅外延材料 ;
谢自力陈桂章洛红严军
关键词：硅半导体技术
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