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费淑萍

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 2篇盖层
  • 1篇导体
  • 1篇压应力
  • 1篇应力
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光放大
  • 1篇光放大器
  • 1篇光强
  • 1篇光强度
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇发光
  • 1篇发光器件
  • 1篇发光强度

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇费淑萍
  • 2篇黄黎蓉
  • 2篇田芃
  • 1篇黄德修
  • 1篇徐巍
  • 1篇余奕
  • 1篇潘彬

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 3篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响被引量：4
2010年
利用金属有机化合物气相沉积设备生长了不同盖层结构的InAs/GaAs量子点,采用原子力显微镜和光致发光光谱仪对量子点的结构和光学性质进行了研究.量子点层之间的盖层由一个低温层和一个高温层组成.对不同材料结构的低温盖层的对比研究表明,In组分渐变的InGaAs低温盖层有利于改善量子点均匀性、减少结合岛数目、提高光致发光强度;当组分渐变InGaAs低温盖层厚度由6.8nm增加到12nm,发光波长从1256.0nm红移到1314.4nm.另外,还对不同材料结构的高温盖层进行了对比分析,发现高温盖层采用In组分渐变的InGaAs材料有利于光致发光谱强度的提高.
田芃黄黎蓉费淑萍余奕潘彬徐巍黄德修
关键词：半导体量子点盖层
量子点半导体光放大器理论研究与InAs量子点工艺生长
由于量子点拥有独特的δ态密度函数和三维强量子限制效应,以量子点为有源区的光电器件具有优于传统器件的性能。就半导体光放大器(SOA)而言,量子点SOA具有材料增益高、温度性能好、啁啾低、响应速度快等优越性能,从而在下一代全...
费淑萍
关键词：量子点半导体光放大器INAS金属有机化学气相沉积
文献传递
一种铟砷量子点有源区结构及发光器件
本发明涉及铟砷量子点有源区结构，它包含n个铟砷量子点层(1)，n≥1，n为自然数；每一个铟砷量子点层(1)中都自下而上依次外延生长In组分线性增加的InGaAs层、InAs量子点层、In组分线性减小的InGaAs层、盖层...
黄黎蓉费淑萍田芃
文献传递
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