黄黎蓉
- 作品数：57 被引量：56H指数：4
- 供职机构：华中科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- 一种基于多聚体超表面的光分束器
- 本发明涉及光学无源器件技术领域，尤其涉及一种基于多聚体超表面的光分束器，包括：衬底；衬底上包括呈阵列分布的多个结构单元；其中，每个结构单元包括一个第一光散射体和均匀分布在所述第一光散射体周围的多个第二光散射体，第一光散射...
- 黄黎蓉丁继飞
- 文献传递
- 点状PN结中的光电转换
- 1997年
- 用N型硅单晶材料制作了点状PN结光电二极管 ,对二极管的光电参数进行了测量。若依平面结的受光面积计算 ,在同样的光辐射下 ,点状PN结光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的 2 0 0倍以上。分析表明 ,在光探测机制上不仅要考虑平面结范围内的光电转换 ,更要考虑平面结周边一个少数载流子扩散长度范围内的光电转换。利用点状PN结光照电流的测量 ,可以确定在衬底材料中光生少子的扩散长度。
- 尹长松黄黎蓉
- 关键词：半导体光电器件光敏二极管光电转换PN结
- 双折射对基于半导体光放大器的干涉型器件性能影响的模拟分析研究被引量：2
- 2003年
- 分析了半导体光放大器中双折射对基于半导体光放大器的干涉型器件性能的影响 ,对基于半导体光放大器的马赫曾德尔型波长转换器的理论计算表明 ,当半导体光放大器有双折射存在时 ,消光比不仅要比无双折射时的要低 ,而且还随着探测光的偏振态而改变 ,变化幅度可大于 10dB。提出了减小双折射对干涉型器件影响的方案 ,并且分析了实现对增益和对相位变化同时具有偏振不灵敏的半导体光放大器的可能性。
- 黄黎蓉黄德修黄永箴
- 关键词：半导体光放大器双折射偏振态消光比
- 一种GaN基发光二极管的制备方法
- 本发明公开了一种用CNT薄膜作为透明导电电极的GaN基LED的制备方法，该方法包括半导体外延层的生长、在P型GaN层表面上制备CNT薄膜透明导电电极、二维CNT薄膜光子晶体的制备、N型金属电极的形成和P型电极的制备步骤。...
- 赵彦立元秀华黄黎蓉余永林刘文黄德修
- 文献传递
- 混合集成的高亮度半导体白光源及其制作方法
- 本发明是一种混合集成的高亮度半导体白光源，其由至少两个发不同颜色的、侧面出光的、相互粘结在一起的发光单元构成，它们在电学上互成串联关系，不同颜色的光从各个发光单元出射之后混合成为白光；每一个发光单元为多层结构，包括第一电...
- 刘德明黄黎蓉刘陈
- 文献传递
- 不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响被引量：4
- 2010年
- 利用金属有机化合物气相沉积设备生长了不同盖层结构的InAs/GaAs量子点,采用原子力显微镜和光致发光光谱仪对量子点的结构和光学性质进行了研究.量子点层之间的盖层由一个低温层和一个高温层组成.对不同材料结构的低温盖层的对比研究表明,In组分渐变的InGaAs低温盖层有利于改善量子点均匀性、减少结合岛数目、提高光致发光强度;当组分渐变InGaAs低温盖层厚度由6.8nm增加到12nm,发光波长从1256.0nm红移到1314.4nm.另外,还对不同材料结构的高温盖层进行了对比分析,发现高温盖层采用In组分渐变的InGaAs材料有利于光致发光谱强度的提高.
- 田芃黄黎蓉费淑萍余奕潘彬徐巍黄德修
- 关键词：半导体量子点盖层
- 一种不对称传输器
- 本发明公开了一种不对称传输器，包括：依次层叠设置的第一金属光栅层、金属层、第二金属光栅层及介质衬底，第一金属光栅层的结构参数值满足预设参数条件，使得入射到第一金属光栅层表面的光波转换为表面等离子体激元；金属层阻挡依次经介...
- 黄黎蓉巴春发令永红
- 文献传递
- 一种基于多聚体超表面的光分束器
- 本发明涉及光学无源器件技术领域，尤其涉及一种基于多聚体超表面的光分束器，包括：衬底；衬底上包括呈阵列分布的多个结构单元；其中，每个结构单元包括一个第一光散射体和均匀分布在所述第一光散射体周围的多个第二光散射体，第一光散射...
- 黄黎蓉丁继飞
- 文献传递
- 一种半导体光放大器
- 一种半导体光放大器，属于半导体光电器件，解决结构复杂、工艺不易于实现、不便应用的技术问题，兼具高饱和输出功率和低噪声指数。其芯片内部依次包括衬底、缓冲层、上包层、有源区、下包层、欧姆接触层，芯片的顶层和底层分别为上、下金...
- 刘德明黄黎蓉陈俊柯昌剑
- 文献传递
- 基于超材料与半导体低维量子材料的复合结构及其应用
- 本发明提供的基于超材料与半导体低维量子材料的复合结构，其由自下而上排列的衬底（1）、缓冲层（2）、半导体低维量子材料（3）、半导体隔层材料（4）、超材料（5）组成，所述超材料（5）是周期排布的金属线阵列、周期排布的金属开...
- 黄黎蓉孙荣
- 文献传递
