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InAs/GaAs量子点在Ge衬底上的MOCVD生长研究: 本文利用自组织生长技术通过MOCVD对Ge衬底上生长高质量InAs/GaAs量子点结构进行研究.通过AFM,TEM和PL研究表明,利用AlGaAs插入层技术不但有助于消除GaAs在Ge上外延时形成的反相畴及界面扩散问题,...; 李森林陈长清孙世闯齐志强李洋田武徐巍吴志浩戴江南方妍妍

不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响被引量：4: 2010年; 利用金属有机化合物气相沉积设备生长了不同盖层结构的InAs/GaAs量子点,采用原子力显微镜和光致发光光谱仪对量子点的结构和光学性质进行了研究.量子点层之间的盖层由一个低温层和一个高温层组成.对不同材料结构的低温盖层的对比研究表明,In组分渐变的InGaAs低温盖层有利于改善量子点均匀性、减少结合岛数目、提高光致发光强度;当组分渐变InGaAs低温盖层厚度由6.8nm增加到12nm,发光波长从1256.0nm红移到1314.4nm.另外,还对不同材料结构的高温盖层进行了对比分析,发现高温盖层采用In组分渐变的InGaAs材料有利于光致发光谱强度的提高.; 田芃黄黎蓉费淑萍余奕潘彬徐巍黄德修; 关键词：半导体量子点盖层

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徐巍