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罗海林
作品数:
3
被引量:8
H指数:1
供职机构:
香港科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
王玉琦
香港科技大学
常玉春
香港科技大学
边历峰
中国科学院半导体研究所
葛惟琨
香港科技大学
王建农
香港科技大学
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分子束外延
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分子束外延生...
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X
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GAAS
机构
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香港科技大学
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中国科学院
作者
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罗海林
3篇
王玉琦
2篇
常玉春
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徐仲英
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罗向东
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葛惟琨
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边历峰
传媒
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功能材料与器...
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全国化合物半...
年份
1篇
2003
2篇
2000
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具有穿通基区的双极晶体管光探测器的噪声特性研究
2000年
提出了一种具有穿通基区的Si双极晶体管光探测器。通过优化器件结构参数,使基区在工作时完全耗尽,从而得到大的光增益和小的噪声电流。实验测光电转换增益大于150,000;器件具有良好的噪声特性,噪声功率与器件的直流偏置电流成正比,即in2=2qIcΔf。
常玉春
罗海林
王玉琦
关键词:
光电晶体管
光探测器
噪声
双极晶体管
GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究
被引量:8
2003年
用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移 ,也随激发光能量的增加而蓝移 ,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间 ,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释 ,这也是空间间接跃迁的典型特性 .还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb GaAs能带排列的Ⅱ类特性 ,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb GaAs异质结的带阶系数 .
罗向东
边历峰
徐仲英
罗海林
王玉琦
王建农
葛惟琨
关键词:
单量子阱
砷化镓
分子束外延生长
具有穿通基区的双极晶体管光探测器的噪声特性研究
提出了一种具有穿通基枢的Si双极晶体管光探测器。通过优化器件结构参数,使基区在工作时完全耗尽,从而得到大的光增益和小的噪声电流。实验测光电转换增益大于150000;器件具有良好的噪声特性,噪声功率与器件的直流偏置电流成正...
常玉春
罗海林
王玉琦
关键词:
光电晶体管
光探测器
噪声
双极晶体管
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