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罗海林

作品数:3 被引量:8H指数:1
供职机构:香港科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电晶体
  • 2篇噪声
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇探测器
  • 2篇晶体管
  • 2篇光电
  • 2篇光电晶体管
  • 2篇光探测
  • 2篇光探测器
  • 1篇单量子阱
  • 1篇砷化镓
  • 1篇锑化合物
  • 1篇化合物
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇X
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇香港科技大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇罗海林
  • 3篇王玉琦
  • 2篇常玉春
  • 1篇徐仲英
  • 1篇罗向东
  • 1篇王建农
  • 1篇葛惟琨
  • 1篇边历峰

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2000
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
具有穿通基区的双极晶体管光探测器的噪声特性研究
2000年
提出了一种具有穿通基区的Si双极晶体管光探测器。通过优化器件结构参数,使基区在工作时完全耗尽,从而得到大的光增益和小的噪声电流。实验测光电转换增益大于150,000;器件具有良好的噪声特性,噪声功率与器件的直流偏置电流成正比,即in2=2qIcΔf。
常玉春罗海林王玉琦
关键词:光电晶体管光探测器噪声双极晶体管
GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究被引量:8
2003年
用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移 ,也随激发光能量的增加而蓝移 ,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间 ,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释 ,这也是空间间接跃迁的典型特性 .还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb GaAs能带排列的Ⅱ类特性 ,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb GaAs异质结的带阶系数 .
罗向东边历峰徐仲英罗海林王玉琦王建农葛惟琨
关键词:单量子阱砷化镓分子束外延生长
具有穿通基区的双极晶体管光探测器的噪声特性研究
提出了一种具有穿通基枢的Si双极晶体管光探测器。通过优化器件结构参数,使基区在工作时完全耗尽,从而得到大的光增益和小的噪声电流。实验测光电转换增益大于150000;器件具有良好的噪声特性,噪声功率与器件的直流偏置电流成正...
常玉春罗海林王玉琦
关键词:光电晶体管光探测器噪声双极晶体管
文献传递
共1页<1>
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