边历峰 作品数:49 被引量:15 H指数:2 供职机构: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家重点基础研究发展计划 国际科技合作与交流专项项目 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 金属学及工艺 天文地球 更多>>
GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结级联太阳电池及其制作方法 本申请公开了一种四结级联太阳电池及其制作方法,将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池进行单片集成,实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池。本发明采用具有... 陈俊霞 边历峰 陆书龙 贾少鹏 王青松 王鑫文献传递 一种碳纳米管连续生长装置 本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置,包括:加热室,具有一加热腔,所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔;位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜,所述的催化剂薄膜沿重力方向形成于所述基板的下表面;加... 任昕 边历峰 朱建军文献传递 一种温度连续可调的喷淋头 一种温度连续可调的喷淋头,用于进行金属有机化学沉积反应,包括:进气单元;反应室上盖;连接于进气单元和反应室上盖的喷淋管;其特征在于,还包括:调温盘组件,调温盘组件包括调温盘及分设两边的入口通道和出口通道,调温盘内设有供冷... 阮孟财 朱建军 边历峰 任昕文献传递 多尺度特征融合残差网络的高光谱地物分类 被引量:3 2022年 为充分提取高光谱图像(HSI)的光谱空间信息特征,实现HSI的高精度地物分类,提出端到端的多尺度特征融合残差(MFFI)模块。该模块结合了3D多尺度卷积、特征融合以及残差连接3种手段,实现了HSI多尺度光谱空间特征的联合提取。因模块具有端到端特性,可通过堆叠多个MFFI模块得到具有提取深层特征能力的MFFI网络。该网络在Salinas、Indian Pines和University of Pavia 3个HSI数据集的平均总体准确率为99.73%,平均准确率为99.84%,平均卡帕系数为0.9971。结果表明:MFFI模块可以有效提取不同类型地物数据集的光谱空间特征,并取得良好的分类结果。 邓子青 王阳 张兵 丁召 边历峰 杨晨关键词:高光谱图像分类 卷积神经网络 红外探测器及其制作方法 本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层,构成第一N+中间接触层、第一量子点有源区、N+... 任昕 杨晓杰 边历峰 黄宏娟文献传递 新型GaAs基长波长低维半导体材料的光学性质研究 信息时代的发展离不开高速、大容量的通讯网络,从而对光纤通讯的发展提出了更高的要求.在光纤通讯的研究中,发光波长在1.3-1.55μm半导体激光器材料的发展逐渐成为目前研究的前沿和热点.其中以GaAs为基的GaInNAs及... 边历峰关键词:光致发光谱 GAINNAS 快速热退火 INAS量子点 碳纳米管连续生长装置 本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置,包括:加热室,具有一加热腔,所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔;位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜,所述的基板开设有第一通孔,所述的催化剂薄膜包括连通于... 任昕 边历峰 朱建军文献传递 分子束外延生长InGaAsP太阳电池载流子动力学研究 本文分别采用InP和InAlAs作为背场生长InGaAsP太阳电池.InP作为背场的InGaAsP电池开路电压0.545V,短路电流44.51 mA/cm2,转换效率达到18.8%,性能优于InAlAs作为背场的电池.比... 季莲 吴渊渊 代盼 谭明 边历峰 陆书龙 杨辉关键词:分子束外延 太阳电池 INGAASP 半导体结构及其制备方法 本发明公开了一种半导体结构,包括相键合的第一半导体晶片和第二半导体晶片,其中,所述第一半导体晶片和第二半导体晶片之间设有结构层,所述结构层上分布有多个纳米孔。本发明还公开了一种半导体器件,所述半导体器件包括前述的半导体结... 陈俊霞 边历峰 陆书龙文献传递 人工光合作用装置 本实用新型公开了一种人工光合作用装置,包括反应槽、光电转换器件、氧化电极、还原电极和蓄电池,氧化电极和还原电极设置于反应槽内,氧化电极电性连接于光电转换器件的正极,还原电极电性连接于光电转换器件的负极,蓄电池的正极分别与... 邢志伟 杨文献 黄欣萍 李雪飞 龙军华 边历峰 陆书龙文献传递