王晓泉
- 作品数：10 被引量：98H指数：5
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 晶体硅中的铁沉淀规律被引量：15
- 2003年
- 研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经 110 0℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响 .红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低 ,而且其尺寸较大 ;在铸造多晶硅中 ,铁易在晶界上沉淀 ,沉淀规律也依赖于冷却速度 .表面光电压仪测试结果表明 :无论在直拉单晶硅材料中还是在铸造多晶硅材料中 ,快冷形成的铁沉淀对少数载流子扩散长度影响更大 .
- 席珍强杨德仁陈君王晓泉汪雷阙端麟H.J.Moeller
- 关键词：硅铁少数载流子
- PECVD法生长氮化硅薄膜对多晶硅少子寿命的影响
- 使用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)在多晶硅片上沉积了氮化硅(SiN)薄膜,并测试了其成膜前后体内少子寿命的变化,发现生长氮化硅薄...
- 汪雷王晓泉龚灿峰席珍强杨德仁
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积多晶硅氮化硅
- 文献传递
- 太阳电池用氮化硅薄膜及氢钝化研究
- 该文在系统综述当前太阳电池用氮化硅薄膜研究进展、前景和面临的问题的基础上,应用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统,以硅烷和氨气为气源制备了同时具有钝化作用和减反射作用的氮化硅薄膜;摸索了氮化硅薄膜相对最佳生长参数...
- 王晓泉
- 关键词：PECVD氮化硅薄膜太阳电池
- 文献传递
- 氢等离子体钝化多晶硅的初步研究
- 利用氢等离子体处理多晶硅片,对处理前后的样品分别使用μ-PCD进行少子寿命的测试,讨论和比较了多晶硅中的钝化情况随氢等离子体处理温度和时间的变化规律.
- 王晓泉杨德仁
- 关键词：少子寿命太阳能电池
- 文献传递
- PECVD法制备氮化硅减反射膜研究
- 氮化硅薄膜作为一种新型的太阳电池减反射膜已经被工业界逐渐认识和应用。本文应用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）系统,以硅烷和氨气为气源制备了同时具有钝化作用和减反射作用的氮化硅薄膜,并研究了在沉积的过程中,衬底温度、...
- 王晓泉汪雷席珍强杨德仁
- 关键词：PECVD氮化硅太阳电池减反射膜
- 文献传递
- 氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究被引量：4
- 2005年
- 利用等离子体增强化学气相沉积技术,在P型直拉单晶硅硅片和铸造多晶硅片以及太阳电池的表面上 沉积了非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并研究了氮化硅薄膜对材料少子寿命和太阳电池性能的影响。研究发现: 氮化硅薄膜显著地提高了晶体硅材料中少子寿命,同时多晶硅太阳电池的开路电压有少量提高,短路电流普遍 提高了1mA/cm2,电池效率提高了2％。实验结果表明:氮化硅薄膜不仅具有表面钝化作用,也有良好的体钝化 作用。
- 龚灿锋杨德仁王晓泉席珍强汪雷阙端麟
- 关键词：氮化硅PECVD太阳电池少子寿命
- 多晶硅太阳电池用SiN薄膜的研究进展被引量：15
- 2002年
- SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,已经越来越广泛地应用于多晶硅太阳电池的制造工艺中。介绍了SiN薄膜在硅太阳电池中的性质,制备方法等研究现状,同时提出了存在的问题并展望了今后的发展趋势。
- 王晓泉杨德仁席珍强
- 关键词：SIN多晶硅PECVD太阳电池氮化硅薄膜
- PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究被引量：56
- 2004年
- 使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌,使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后,考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性,并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。
- 王晓泉汪雷席珍强徐进崔灿杨德仁
- 关键词：太阳电池PECVD氮化硅
- 氢退火对掺氮硅中氧施主电学行为的影响被引量：2
- 2003年
- 本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主 (TDs)和氮氧 (N O)复合体的影响。实验结果表明 ,在氢气下低温退火对热施主和N O复合体的生成与在氩气下差不多。这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少 。
- 王晓泉杨德仁余学功马向阳阙端麟
- 关键词：直拉单晶硅电阻率
- 热处理对氮化硅薄膜光学和电学性能的影响被引量：7
- 2006年
- 使用PECVD在单晶硅硅片表面沉积了非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,采用传统的退火炉和快速热退火炉进行了不同时间和温度下的退火比较,并研究了退火对薄膜光学性能以及材料少子寿命的影响。研究发现:氮化硅薄膜经热处理后厚度降低,折射率先升高后降低;沉积氮化硅薄膜后400℃退火可以促进氢扩散,提高少子寿命,超过400℃后氢开始逸失,衬底少子寿命急剧下降。另外,还发现RTP处理过程中氢的逸失比常规热处理快。
- 龚灿锋席珍强王晓泉杨德仁阙端麟
- 关键词：氮化硅PECVD
