沙永萍
- 作品数：13 被引量：12H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委科技发展计划模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于集成电路工艺的SiGe HBT器件的噪声特性研究
- 由于SiGe HBT基于Si工艺,不但具有其低功耗、低噪声、高集成度、高性价比的优点,又能达到可与III-V族HBT相比拟的高的频率特性,在通信、数字计算机及雷达等各种领域应用中,成为III-V族HBT的有力竞争者,越来...
- 沙永萍
- 关键词：噪声源
- 文献传递
- SiGe HBT高频噪声特性研究被引量：2
- 2007年
- 对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先减小后增大。结果表明,噪声最小时的最佳偏置电流所对应的特征频率fT并不是最大特征频率,约为最大特征频率的50%。
- 高攀张万荣谢红云邱建军沙永萍金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：硅锗异质结双极型晶体管
- 具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
- 本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I在1.67-1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加...
- 沈珮张万荣谢红云金冬月邱建军王扬何莉剑张蔚沙永萍李佳甘军宁
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管
- 文献传递
- 多发射指分段结构功率SiGe HBT的优化设计
- 本文提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性,并将传统的非均匀条间距技术与分段结构设计相结合,对功率SiGe HBT进行了优化设计。通过三维热模拟,我们得到了非均匀段间距设计（符合...
- 王扬张万荣谢红云金冬月张蔚何丽剑沙永萍
- 关键词：优化设计热模拟
- 文献传递
- 基于SiGe HBT的超宽带(UWB)低噪声放大器的设计
- 本文结合超宽带(UWB)无线通信标准,给出了超宽带低噪声放大器(LNA)的设计思路,然后根据这个思想以高性能的硅锗异质结双极型晶体管为核心设计出了一款超宽带低噪声放大器,最后用安捷伦的ADS对所设计的放大器进行了仿真验证...
- 张蔚张万荣谢红云金冬月何莉剑王扬沙永萍李佳甘军宁沈珮
- 关键词：超宽带低噪声放大器ADS
- 文献传递
- 多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计被引量：1
- 2006年
- 利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。
- 张万荣何莉剑谢红云杨经伟金冬月肖盈沙永萍王扬张蔚
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管热电耦合
- 版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响被引量：2
- 2006年
- 从实验上研究了版图尺寸对Si／SiGeHBT高频噪声特性的影响。结果表明，在现有工艺条件下，减少外基区电阻（即减少发射极与基区间距），对降低高频噪声很显著。增加基极条数、增加条长也可减少基极电阻，降低高频噪声。发射极条宽从2μm减少为1μm，对噪声的改善很有限。对1μm或2μm条宽，40μm条长的5个基极条或9个基极务的SiGeHBT，在片测试表明，频率从0．4GHz增加到1．2GHz，噪声系数在2．5～4．6dB之间变化。
- 张万荣沙永萍谢红云刘颖张静张正元刘伦才刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管
- 功率SiGe/Si HBT的温度特性被引量：1
- 2006年
- 测量了Si／SiGeHBT在23-260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性，以及Early电压U的变化情况。结果表明，随电流和温度的增加，β减少，％随温度的变化率dVBE／dT小于同质结Si BJT。在高集电极-发射极电压和大电流下，在输出特性曲线上观察到了负微分电阻（NDR）特性。结果还显示，电流增益-Early电压积与温度的倒数（1／T）呈线性关系，这对模拟电路应用是很重要和有用的。
- 张万荣王扬金冬月谢红云肖盈何莉剑沙永萍张蔚
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管温度特性
- 基于SiGe HBT的超宽带低噪声放大器的设计被引量：3
- 2008年
- 结合超宽带（UWB）无线通信标准，给出了超宽带低噪声放大器（LNA）的设计思路。依据这个思想，并以高性能硅锗异质结双极型晶体管为核心，设计了一款超宽带低噪声放大器。采用安捷伦的ADS，对设计的放大器进行了仿真验证。结果表明，该放大器在3．1～6GHz带宽内，S21高于11dB，且变化不超过3dB；S11和S22都在-15dB以下；S12低于-20dB；放大器的噪声系数在1．3-1．7dB之间，群延时在整个频带内变化在15ps左右，且在整个频带内无条件稳定。放大器良好的性能证明了提出的设计思想的正确性。
- 张蔚张万荣谢红云金冬月何莉剑王扬沙永萍
- 关键词：超宽带低噪声放大器SIGEHBT
- 一款适用于IEEE802.11a标准的SiGe HBT低噪声放大器的设计
- 由于SiGe技术的快速发展,SiGe HBT低噪声放大器(LNA)已得到广泛应用。本文基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGeHBT低噪声放大器的设计.为了优化其各项指标,分析了影响噪声、功率增益及稳定性的因素,...
- 李佳张万荣谢红云张蔚金冬月何莉剑甘军宁沈珮王扬沙永萍
- 关键词：低噪声放大器IEEE802.11A
- 文献传递
