张蔚
- 作品数：17 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委科技发展计划模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术更多>>
- 具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
- 本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I在1.67-1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加...
- 沈珮张万荣谢红云金冬月邱建军王扬何莉剑张蔚沙永萍李佳甘军宁
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管
- 文献传递
- 人民币资本项目可兑换的适度模式选择
- 该文把人民币资本项目可兑换看作是中国改革开放总体工程中的一个有机组成部分,从回顾的角度、前瞻的角度、国际比较的角度出发,运用历史归纳法、横向比较法、采用理论研究和实证研究相结合、定量分析和定性分析相结合的方法综合考虑人民...
- 张蔚
- 关键词：资本项目人民币外汇管理
- 文献传递
- 微波功率SiGe HBT研究进展
- 2006年
- Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比GaAs HBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGe HBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述,希望对从事微波功率SiGe HBT的研究者有所帮助。
- 张万荣张蔚金冬月谢红云肖盈王扬李佳沈佩
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管微波功率器件
- 多发射指分段结构功率SiGe HBT的优化设计
- 本文提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性,并将传统的非均匀条间距技术与分段结构设计相结合,对功率SiGe HBT进行了优化设计。通过三维热模拟,我们得到了非均匀段间距设计（符合...
- 王扬张万荣谢红云金冬月张蔚何丽剑沙永萍
- 关键词：优化设计热模拟
- 文献传递
- 基于SiGe HBT的超宽带(UWB)低噪声放大器的设计
- 本文结合超宽带(UWB)无线通信标准,给出了超宽带低噪声放大器(LNA)的设计思路,然后根据这个思想以高性能的硅锗异质结双极型晶体管为核心设计出了一款超宽带低噪声放大器,最后用安捷伦的ADS对所设计的放大器进行了仿真验证...
- 张蔚张万荣谢红云金冬月何莉剑王扬沙永萍李佳甘军宁沈珮
- 关键词：超宽带低噪声放大器ADS
- 文献传递
- 基于DFB激光器的光学微波信号的产生
- 2008年
- 采用量子阱混杂的材料集成技术制备并联分布反馈激光器和Y形波导耦合器集成的新型光电器件.两个并联分布反馈激光器的激射模式在频率上稍有差别,这两束不同频率的激光在Y形波导耦合器拍频产生光学微波信号.分别独立调节注入到两个激光器的电流大小,可以得到从13GHz到42GHz连续可调的光学微波信号.
- 谢红云金冬月何莉剑张蔚王路张万荣王圩
- 关键词：分布反馈激光器拍频
- 四频段高效率功率放大器的设计
- 设计实现了能够在850MHz,900MH,1800MHz和1900MHz四个不同频段独立工作的功率放大器。直流偏置电路采用有源器件补偿法,使功放的线性得到了改善。输出匹配电路采用负载牵引法,匹配电路的类型采用只有两个元器...
- 何莉剑张万荣谢红云张蔚
- 关键词：负载牵引法输出阻抗
- 文献传递
- 生产经营综合展示系统的设计与实现
- 随着我国信息化建设的步伐逐渐加快，实现信息化从集中建设到集成应用的跨越已提上日程。在推进信息系统应用集成的同时，也需要搭建跨业务领域的综合展示系统，实现业务数据价值的充分利用，生产经营综合展示系统正是在此契机下应运而生。...
- 张蔚
- 关键词：企业管理软件开发功能模块
- 多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计被引量：1
- 2006年
- 利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。
- 张万荣何莉剑谢红云杨经伟金冬月肖盈沙永萍王扬张蔚
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管热电耦合
- 功率SiGe/Si HBT的温度特性被引量：1
- 2006年
- 测量了Si／SiGeHBT在23-260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性，以及Early电压U的变化情况。结果表明，随电流和温度的增加，β减少，％随温度的变化率dVBE／dT小于同质结Si BJT。在高集电极-发射极电压和大电流下，在输出特性曲线上观察到了负微分电阻（NDR）特性。结果还显示，电流增益-Early电压积与温度的倒数（1／T）呈线性关系，这对模拟电路应用是很重要和有用的。
- 张万荣王扬金冬月谢红云肖盈何莉剑沙永萍张蔚
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管温度特性
