李淑鑫
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
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- 一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法
- 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p...
- 徐骏曹蕴清绪欣李淑鑫芮云军李伟徐岭陈坤基孙胜华张晓伟陆鹏许杰
- 文献传递
- 高质量氢化非晶碳化硅膜及纳米硅量子点/非晶碳化硅结构的制备与光电特性
- 为了解决人类社会的能源问题，开发以太阳能为代表的清洁新能源已成为人们十分关注的热点内容。而对高性能半导体太阳能电池材料，特别是硅基材料的研究也成为国内外研究小组探索的主要方面之一，无论是在基础研究方面，还是在应用开发方面...
- 李淑鑫
- 关键词：光电性能太阳能电池材料
- 文献传递
- 一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法
- 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p...
- 徐骏曹蕴清绪欣李淑鑫芮云军李伟徐岭陈坤基孙胜华张晓伟陆鹏许杰
- 文献传递
- 超薄氢化非晶锗膜的结构与光电性质被引量：3
- 2011年
- 通过PECVD制备出了不同厚度的a-Ge∶H膜,采用Raman光谱对样品进行了结构表征,由椭圆偏振光谱仪得到样品的厚度和光学常数,并计算了样品的光学带隙。由变温电导率分析了薄膜的电学输运性质,结果表明,载流子的传输机制为扩展态电导。进而利用变温PL谱研究了薄膜的发光性能,发现其发光峰在1.63μm处;随着膜厚的减小,峰位和峰形都有改变,且强度明显提高。进一步分析发现,随着膜厚的减小非辐射复合跃迁的激活能增大,从而导致辐射复合过程增强。
- 李悰徐骏林涛李伟李淑鑫陈坤基
- 关键词：光学带隙光致发光
