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孙胜华
作品数:
4
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供职机构:
南京大学
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相关领域:
一般工业技术
电子电信
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合作作者
李伟
南京大学
陈坤基
南京大学
徐骏
南京大学
许杰
南京大学
陆鹏
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南京大学
作者
4篇
孙胜华
3篇
徐骏
3篇
陈坤基
3篇
李伟
2篇
芮云军
2篇
徐岭
2篇
张晓伟
2篇
李淑鑫
2篇
陆鹏
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许杰
1篇
沐维维
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严敏逸
1篇
孙红程
1篇
徐伟
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李建
年份
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2015
2篇
2013
1篇
2011
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激光晶化制备纳米硅量子点/二氧化硅多层结构及其高效电致发光
硅基发光材料的制备与研究一直是人们关注的课题之一,因为这是实现硅基单片光电集成的关键和难点,迄今仍没有一个确定的解决方案[1]。为了克服体硅材料量子效率低下的问题,人们提出了利用纳米硅量子点来提高电子空穴的复合几率来实现...
徐伟
李伟
孙红程
徐骏
沐维维
孙胜华
李建
严敏逸
陈坤基
关键词:
激光晶化
二氧化硅
多层结构
电致发光
一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法
带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池,包括p型硅衬底,p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构,渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构,由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p...
徐骏
曹蕴清
绪欣
李淑鑫
芮云军
李伟
徐岭
陈坤基
孙胜华
张晓伟
陆鹏
许杰
文献传递
一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法
带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池,包括p型硅衬底,p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构,渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构,由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p...
徐骏
曹蕴清
绪欣
李淑鑫
芮云军
李伟
徐岭
陈坤基
孙胜华
张晓伟
陆鹏
许杰
文献传递
亚波长硅纳米结构的制备,表征及其器件应用探索
硅基纳米结构由于其新颖的光电性质和在新型硅基光电器件中的潜在应用价值而日益受到人们的重视和关注。特别是在器件中引入亚波长的纳米结构可以进行光的调控,从而达到减少界面反射,增强光吸收,减少光学损失的效果。本论文采用纳米小球...
孙胜华
关键词:
光电器件
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