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许杰

作品数:7 被引量:2H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学生物学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇生物学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇硅量子点
  • 2篇带隙
  • 2篇电场
  • 2篇电池
  • 2篇电荷注入
  • 2篇电势
  • 2篇多层膜
  • 2篇原子力显微镜
  • 2篇太阳电池
  • 2篇子层
  • 2篇纳米硅
  • 2篇静电
  • 2篇静电场
  • 2篇硅衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电池结构

机构

  • 7篇南京大学

作者

  • 7篇许杰
  • 5篇徐骏
  • 5篇陈坤基
  • 4篇徐岭
  • 4篇李伟
  • 2篇芮云军
  • 2篇张晓伟
  • 2篇李淑鑫
  • 2篇陆鹏
  • 2篇孙胜华
  • 2篇余林蔚
  • 2篇张鹏展
  • 2篇王越飞
  • 1篇严敏逸
  • 1篇黄信凡
  • 1篇徐伟

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法
带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池,包括p型硅衬底,p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构,渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构,由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p...
徐骏曹蕴清绪欣李淑鑫芮云军李伟徐岭陈坤基孙胜华张晓伟陆鹏许杰
文献传递
一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法
带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池,包括p型硅衬底,p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构,渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构,由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p...
徐骏曹蕴清绪欣李淑鑫芮云军李伟徐岭陈坤基孙胜华张晓伟陆鹏许杰
文献传递
神经回路的遗传解剖
理解生物大脑中复杂的神经回路的构成规律以及在此基础上探索这些回路如何处理复杂的生物信息并引导动物行为的多样性是神经科学的最终目标。近年来发展起来的利用基因手段和遗传药理学以及光遗传学相结合的研究体系为我们解析神经回路提供...
许杰
关键词:神经回路
文献传递
一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法
一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法,利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构,其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下,给原子力显微镜导...
徐骏许杰李伟张鹏展王越飞徐岭余林蔚陈坤基
文献传递
微观尺度下纳米硅材料的载流子输运特性和掺杂效应研究
纳米硅(nc-Si)薄膜作为一种新型的纳电子和光电子材料,无论是在基础理论方面还是在器件应用方面都有着重要的研究意义与价值。其在硅基单片光电集成、非易失性浮栅存储器和新一代薄膜太阳能电池等领域已显示出良好的应用前景,有的...
许杰
关键词:载流子输运
文献传递
纳米硅量子点/氮化硅三明治结构的电致发光被引量:2
2012年
采用等离子体化学气相沉积技术制备了两种不同非晶硅层厚度的氮化硅/氢化非晶硅/氮化硅三明治结构,研究了不同能量激光退火对薄膜晶化的影响。通过拉曼分析,发现在激光能量为320mJ时,样品开始晶化,随着能量的提高晶化程度增加,在340mJ时达到最大。根据拉曼晶化峰的偏移,计算得出硅量子点尺寸为2.8nm和4.7nm,表明三明治结构对形成的硅量子点的尺寸具有限制作用。设计并制备了基于该结构的电致发光器件,在偏压大于10V时,在室温下可观测到电致发光。发现不同激光能量下晶化后的样品的电致发光强度不同,发光峰位在680nm和720nm附近。分析表明电致发光来源可以归结为电子空穴对在硅量子点中的辐射复合发光。
徐伟严敏逸许杰徐骏黄信凡陈坤基
关键词:光电子学硅量子点激光晶化电致发光
一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法
一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法,利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构,其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下,给原子力显微镜导...
徐骏许杰李伟张鹏展王越飞徐岭余林蔚陈坤基
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共1页<1>
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