崔捷
- 作品数：15 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格被引量：1
- 1993年
- 一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm^2/V·s,空穴浓度为3—5×10^(14)/cm^3。
- 徐梁王海龙沈爱东崔捷陈云良沈玉华
- 关键词：分子束外延ZNSE-ZNTE超晶格P型
- The Study on Laser Luminescence and Phonon Spectra of ZnSe-ZnS and ZnSe-ZnTe Strained-Layer Superlattices Grown by Molecular-Beam Epitaxy
- 崔捷
- 关键词：半导体材料
- Li掺杂p型ZnSe的分子束外延生长被引量：2
- 1993年
- 宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物ZnSe,室温带隙为2.7eV,是研制高效蓝色发光器件最有潜在用途的材料。要用ZnSe材料制作高质量的结型器件,关键在于外延薄膜时有意掺入一定量的杂质,使这种材料具有人为控制的导电类型。宽带Ⅱ-Ⅵ族化合物都是离子性很强的单极性材料,通常情况下,ZnSe材料只呈现n型。
- 陈云良崔捷沈爱东屠玉珍王海龙
- 关键词：硒化锌分子束外延生长P型掺杂锂
- Ⅱ-Ⅳ族宽禁带ZnSe/ZnS应变层超晶格瞬态荧光研究
- 1991年
- 本文报道了ZnSe/ZnS应变层超晶格的时间分辨光谱研究,样品用国产MBE设备生长。锁模YAG三倍频光泵浦置于77K中的样品,荧光由单色仪—条纹相机系统记录。实验表明,激子的形成时间和寿命分别为40和100ps。
- 蔡志岗黄旭光李庆行余振新崔捷王海龙干福熹
- 关键词：应变层超晶格宽禁带单色仪三倍频激子荧光研究
- N-型ZnSe:Cl的分子束外延生长
- 1993年
- 本文报道利用分子束外延(MBE)技术,采用高纯ZnCl_2作掺杂源,成功地进行了n—型ZnSe:Cl的分子束外延生长。n-ZnSe:Cl/p-GaAs异质结构的伏-安(I—V)特性和热探针测试显示外延层呈n型导电特性。反射高能电子衍射(RHEED)和x射线衍散谱测量表明ZnSe:Cl外延层具有较好的晶体质量。
- 陈云良崔捷沈爱东屠玉珍王海龙
- 关键词：硒化锌分子束外延
- Ⅱ—Ⅵ族宽禁带ZnS/ZnSe应变层超晶格瞬态激子复合发光特性被引量：1
- 1991年
- 半导体超品格和量子阱结构形成了载流子的准二维体系,特别是正方向势阱压缩效应增强了电子-空穴间库仑相互作用,使得二维激子束缚能较三维激子束缚能增大,从而使二维激子跃迁强度和吸收强度迅速增加。
- 崔捷王海龙干福熹黄旭光蔡志岗李庆行余振新
- 关键词：硫化锌硒化锌超晶格
- ZnSe-ZnTe应变层超晶格远红外反射谱
- 1990年
- 本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格介电理论和多层吸收薄膜理论进行曲线拟合,确定Ⅱ-Ⅵ族ZnS、eZnTe材料的一些基本材料参数,如横光学声子频率、模衰减常数、模振荡强度、高频介电常数等.本文首次报道这些参数.
- 崔捷陈云良王海龙干福熹
- 关键词：应变层超晶格
- Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量
- 1991年
- ZnS、ZnSe、ZnTe等宽禁带半导体材料构成的超晶格和量子阱结构可望在可见光光电子器件领域发挥重要作用,特别是它们可制成600—700nm光电子器件,在高密度光学信息系统中的应用,前景非常诱人。因此人们正加紧努力研制基于这种材料的光波导。
- 崔捷陈云良王海龙干福熹
- 关键词：半导体应变层超晶格折射率
- 蓝绿光半导体激光器被引量：1
- 1992年
- 1.引言许多年来研究人员一直孜孜以求波长更短的激光器,蓝绿光半导体激光器就是激光科学追求的重要目标之一。这种激光器能聚成更小的光点,可提高光盘的存贮密度、激光打印机的分辨率及打印速度。同时,由于波长480～560nm的蓝绿光通过海水时吸收损耗极小,蓝绿光激光器可以打破深海通信的'禁区',因此国际上许多研究人员都竞相开展蓝绿光激光器研究。在紧凑的蓝绿光半导体激光器出现之前,人们采用GaAlAs/GaAs激光二极管在非线性光学晶体(如LiNbO_3,KNbO_3)中倍频。
- 王海龙崔捷沈爱东陈云良
- 关键词：半导体激光器蓝绿光激光器
- ZnSe-ZnTe应变层超晶格的Raman光谱研究
- 1992年
- 本文报道室温下的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物 ZuSe-ZnTe应变层超晶格的 Raman光谱,得到纵光学声子频移和超晶格结构参数的关系.当超晶格每层厚度大于40A时,纵光学声子模频移随层厚变化不明显,基本稳定在一定值;当层厚小于40A时,纵光学声子模频率随层厚减小而相对其体材料值的变化越来越大,并且应力效应引起的频移比限制效应引起的红移要大得多.ZnSe纵光学声子模频率随层厚减小向低波数移动,ZnTe纵光学声子模频率向高波数移动.从Raman光谱估计这种应变层超晶格的临界厚度约为40A.
- 崔捷王海龙干福熹韩和相李国华汪兆平
- 关键词：ZNSE-ZNTE超晶格拉曼光谱
