徐梁
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格被引量：1
- 1993年
- 一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm^2/V·s,空穴浓度为3—5×10^(14)/cm^3。
- 徐梁王海龙沈爱东崔捷陈云良沈玉华
- 关键词：分子束外延ZNSE-ZNTE超晶格P型
- 分子束外延生长p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料
- 1991年
- 我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温霍耳效应测量表明:载流子浓度为10^(14)/cm^3量级,迁移率为250cm^2/V·s。俄歇谱分析清楚表明,仅在ZnTe层中Sb原子存在,且界面比较分明,调制掺杂已获初步成功。
- 徐梁陈云良沈玉华王海龙
- 关键词：分子束外延超晶格材料P型
- Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延
- 1992年
- 我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温度和入射束比的关系能用原子表面覆盖度的动力学方程得到解释。
- 徐梁陈云良王海龙
- 关键词：分子束外延半导体
- ZnSe-ZnTe应变层超晶格的分子束外延生长及特性分析被引量：1
- 1991年
- 运用MBE/FWIII设备成功地生长了高质量的ZnSe-ZnTe应变层超晶格.对材料的特性进行了俄歇电子能谱、低角度X射线衍射、光荧光及拉曼光谱等分析测试.并首次观测到ZnSe层内6个LO声子限制模.
- 沈爱东崔捷陈云良徐梁王海龙
- 关键词：ZNSE-ZNTE应变层超晶格
- 宽带Ⅱ—Ⅵ族超晶格材料MBE生长及其特性研究
- 1991年
- 采用MBE和ALE方法,在GaAs、InP衬底上生长出了ZnSe/znS、ZnTe/ZnSe及p-ZnTe/ZnSe等超晶格材料。测量了低角度x-射线衍射,掺杂起晶格材料的载流子浓度及迁移率,进行了光荧光谱、瞬态光荧光谱、Raman光谱、远红外反射谱及光学非线性研究和讨论。所得结果多为首次报道,本文对其进行一些讨论。
- 王海龙徐梁崔捷沈爱东陈云良沈玉华
- 关键词：分子束外延超晶格化合物半导体
- 分子束外延生长ZnSe及其相关应变层超晶格材料的研究
- 徐梁
- 关键词：分子束外延超晶格
- ZnSe-ZnS超晶格材料的光学特性
- 1992年
- 本文首次报道了ZnSe-ZnS应变层超晶格的分子束外延生长.对材料进行了光荧光谱、远红外反射谱及喇曼光谱测量.得到了激子发射峰的移动随ZnSe阱宽及温度的变化以及发射峰半宽随温度的变化.首次在室温下测量到该材料的三级纵声学声子折叠模.通过对远红外反射谱的计算机拟合,确定了ZnSe、ZnS材料的几个基本声子参数.我们还首次在室温下观测到ZnSe-ZnS多量子阱标准具有明显的脉冲压缩效应.
- 王海龙崔捷沈爱东陈云良徐梁沈玉华
- 关键词：半导体材料光学特性
