王海龙
- 作品数：25 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格被引量：1
- 1993年
- 一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm^2/V·s,空穴浓度为3—5×10^(14)/cm^3。
- 徐梁王海龙沈爱东崔捷陈云良沈玉华
- 关键词：分子束外延ZNSE-ZNTE超晶格P型
- Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延
- 1992年
- 我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温度和入射束比的关系能用原子表面覆盖度的动力学方程得到解释。
- 徐梁陈云良王海龙
- 关键词：分子束外延半导体
- 半导体激光十字标线仪
- 一种半导体激光十字标线仪，主要用于橡胶轮胎制造中的材料定位，以及其它工业加工中的材料定位。它含有结构和大小完全相同的相互平行并列置放的两个外壳。两外壳均分成前后两部分活动连接。两外壳内的激光束G<Sub>1</Sub>和...
- 楼祺洪王海龙陈云良金志良李植森符祖良
- 文献传递
- Li掺杂p型ZnSe的分子束外延生长被引量：2
- 1993年
- 宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物ZnSe,室温带隙为2.7eV,是研制高效蓝色发光器件最有潜在用途的材料。要用ZnSe材料制作高质量的结型器件,关键在于外延薄膜时有意掺入一定量的杂质,使这种材料具有人为控制的导电类型。宽带Ⅱ-Ⅵ族化合物都是离子性很强的单极性材料,通常情况下,ZnSe材料只呈现n型。
- 陈云良崔捷沈爱东屠玉珍王海龙
- 关键词：硒化锌分子束外延生长P型掺杂锂
- Ⅱ-Ⅳ族宽禁带ZnSe/ZnS应变层超晶格瞬态荧光研究
- 1991年
- 本文报道了ZnSe/ZnS应变层超晶格的时间分辨光谱研究,样品用国产MBE设备生长。锁模YAG三倍频光泵浦置于77K中的样品,荧光由单色仪—条纹相机系统记录。实验表明,激子的形成时间和寿命分别为40和100ps。
- 蔡志岗黄旭光李庆行余振新崔捷王海龙干福熹
- 关键词：应变层超晶格宽禁带单色仪三倍频激子荧光研究
- N-型ZnSe:Cl的分子束外延生长
- 1993年
- 本文报道利用分子束外延(MBE)技术,采用高纯ZnCl_2作掺杂源,成功地进行了n—型ZnSe:Cl的分子束外延生长。n-ZnSe:Cl/p-GaAs异质结构的伏-安(I—V)特性和热探针测试显示外延层呈n型导电特性。反射高能电子衍射(RHEED)和x射线衍散谱测量表明ZnSe:Cl外延层具有较好的晶体质量。
- 陈云良崔捷沈爱东屠玉珍王海龙
- 关键词：硒化锌分子束外延
- 半导体激光标线仪
- 一种半导体激光标线仪,用于橡胶轮胎制造中的材料定位,以及用于其它工业加工中的标线定位。它在分成前后两部分活动连接的外壳里,固定有作为光源的半导体激光器,沿光束前进方向中心置于光轴有非球面透镜和柱面透镜,柱面透镜与非球面透...
- 楼祺洪王海龙金志良李植森符祖良郑艳玲
- 文献传递
- Ⅱ—Ⅵ族宽禁带ZnS/ZnSe应变层超晶格瞬态激子复合发光特性被引量：1
- 1991年
- 半导体超品格和量子阱结构形成了载流子的准二维体系,特别是正方向势阱压缩效应增强了电子-空穴间库仑相互作用,使得二维激子束缚能较三维激子束缚能增大,从而使二维激子跃迁强度和吸收强度迅速增加。
- 崔捷王海龙干福熹黄旭光蔡志岗李庆行余振新
- 关键词：硫化锌硒化锌超晶格
- 高亮度照明雾灯
- 一种高亮度照明雾灯，主要包括含有焦距为f<Sub>n</Sub>的n(n≥1)个聚焦透镜的灯罩，灯罩下的灯芯是固定在灯座上有m≥n的发光二极管构成的列阵。发光二极管的中心置于灯罩上聚焦透镜的中心光轴上。并且发光二极管的发...
- 金志良王海龙李植森陈云良
- 文献传递
- ZnSe-ZnTe应变层超晶格远红外反射谱
- 1990年
- 本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格介电理论和多层吸收薄膜理论进行曲线拟合,确定Ⅱ-Ⅵ族ZnS、eZnTe材料的一些基本材料参数,如横光学声子频率、模衰减常数、模振荡强度、高频介电常数等.本文首次报道这些参数.
- 崔捷陈云良王海龙干福熹
- 关键词：应变层超晶格
