吕宏强
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：上海市青年科技启明星计划基础研究重大项目前期研究专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰被引量：2
- 1993年
- 采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。
- 卫星龚大卫杨小平吕宏强崔堑盛篪张翔九王迅王勤华陆昉孙恒慧
- 关键词：分子束外延钝化
- 热壁外延法生长Zn_(1-x)Mn_xSe半磁半导体薄膜被引量：1
- 1992年
- 作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.
- 王杰吕宏强沈军李哲深王建宝沈孝良
- 关键词：热壁外延半磁半导体
- Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究
- 1994年
- 本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ）；三元结构，并以（００４）晶面为择优取向。薄膜均匀平整，电阻率达到ＴＩＳｉ２最低值范围，高温处理未发生组分分凝．从生成物的晶体结构和形成热差异上对实验结果进行了分析．
- 亓文杰李炳宗黄维宁顾志光张翔九盛篪胡际璜吕宏强卫星沈孝良
- 关键词：分子束外延退火固相反应钴
- 衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响
- 1992年
- 用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。
- 吕宏强王杰沈军刘咏王迅王昌平王建宝李晨沈孝良
- 关键词：衬底温度
