刘豫东
- 作品数：17 被引量：25H指数：3
- 供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>
- EBSP对磁控溅射铟的晶化组织的研究被引量：2
- 2002年
- 铟广泛应用于光电器件的封装互连中。这是因为铟独特的性质能够满足光电器件 ,尤其是能满足红外器件封装时对互连材料的要求 :低互连温度 ,低温工作条件下良好的机械性能。研究铟的组织和性能间的关系十分重要 ,但是在室温时用常规的金相方法获得铟真实的原始组织却很困难 ,常规的金相方法通常会获得假相。因为室温下的铟处于它的热加工区域 ,常规的金相制样过程会导致铟的动态回复和再结晶。用扫描电镜的EBSP技术直接观察按真实工艺步骤沉积的铟的原始组织 ,发现铟以多晶态存在 ,平均晶粒尺寸为 1.2 6 μm ,并且在 9μm×9μm局部范围内没有织构存在 ;铟的纳米硬度是 19.73MPa。
- 刘豫东张钢朱继满马莒生
- 关键词：铟磁控溅射EBSP
- 光化学蚀刻成型技术
- 马莒生李恒徳耿志挺黄辉卢超朱继满刘豫东黄福祥宁洪龙张广能刘杨章开琏陈国海王岩崔建国
- 该成果对微电子封装中的关键高技术之一“光化学蚀刻成型技术”进行了系统研究。是利用在材料表面形成光刻胶图形，用强氧化性蚀刻溶液，刻出高精度（＜±10μm）、复杂图形零件的技术。是涉及材料科学、表面界面物理、光、电化学等多学...
- 关键词：
- 关键词：引线框架蚀刻
- 微细碳粉对新型投影显示屏光学性能的影响被引量：1
- 2003年
- 研究了微晶石墨和鱼骨状碳管的添加对新型投影显示屏光学性能的影响。结果表明，添加后投影显示屏样品的亮度并没有下降，添加鱼骨状碳管的投影显示屏的亮度和亮度均匀性均高于添加微晶石墨的投影显示屏，并从添加物的结构特点和散射机理方面进行了简单解释。
- 石教华钱志勇崔建国马莒生耿志挺刘豫东严珉玉
- 关键词：亮度亮度均匀性散射
- 衬底对铟凸点织构的影响研究被引量：2
- 2003年
- 为研究衬底材料对所溅射的铟织构模式的影响,选用UBM(UnderBumpMetallization)膜、InSb单晶和无定形PR(光刻胶)3种不同衬底材料磁控溅射铟,实验对比了3种衬底材料对铟织构的影响。实验结果表明:铟的织构模式基本不受衬底材料的影响,其织构模式主要为强(101)丝织构和弱的(110)丝织构。这证明了铟的织构形成机理是典型的生长竞争机制。
- 刘豫东崔建国马莒生
- 关键词：织构衬底磁控溅射
- Cd扩散对InSb晶体质量的影响被引量：2
- 2002年
- InSb材料在Cd扩散后于表面产生了密度较高的小浅坑 ,对小坑的成分进行了分析 ,并根据结果对小坑的成因作了初步的推断。实验发现坑中Cd浓度约 4 4%。
- 刘豫东邹红英杜红燕董硕朱继满马莒生
- 关键词：电性能
- '理想'绝缘金属基板在BGA封装中的应用
- 以铝的阳极氧化膜直接作绝缘层的'理想'金属基板用于微电子封装中具有高导热、低成本的优势.铝阳极氧化膜层具有很好的绝缘性能,但是铝的阳极氧化膜与铝基底的热膨胀系数相差太大,在热冲击过程中膜层容易受热开裂,破坏其绝缘性能.作...
- 朱继满刘豫东宁洪龙黄福祥马莒生
- 关键词：铝阳极氧化集成电路封装工艺
- 文献传递
- Cd掺杂扩散诱发InSb晶体缺陷的X光研究被引量：1
- 2005年
- 文章采用了双晶衍射和同步辐射X射线貌相实验手段,对扩散掺杂Cd前后InSb单晶中位错密度的变化进行了对比分析。研究证实了扩散会导致InSb位错密度增加,导致双晶衍射的半高宽增加。较低的半高宽数值对应的X射线貌相中未观察到位错线,只有具有较高的半高宽数值的InSb单晶的X射线貌相上才显示了位错线。本文认为酸蚀可以有效去除InSb浅表面的高缺陷层。
- 刘豫东杜红燕张刚董硕马莒生
- 关键词：INSB位错密度
- Pb/Sn凸点的制备被引量：3
- 2002年
- 介绍了用电镀法制备Pb / Sn凸点的工艺,包括:凸点的设计,圆片的准备,溅射UBM(凸点下金属层),厚膜光刻,电镀Cu柱, Pb / Sn凸点,回流凸点等。结果表明:采用电镀法可以得到球形Pb / Sn凸点,50μm的厚胶工艺是可行的。
- 刘豫东谭智敏钱志勇马莒生
- 关键词：凸点电镀法封装技术
- 倒装焊凸点技术研究
- 刘豫东
- 关键词：倒装焊凸点织构
- 红外焦平面器件互连技术分析
- 红外焦平面器件互连技术的优劣直接影响器件的电性能.控制互连工艺的质量尤为重要.本文对互连好的In柱阵列进行了一系列的试验,并运用物理手段进行了分析和讨论,这对确定互连技术的工艺参数提供了理论依据.
- 张钢刘豫东
- 关键词：焦平面器件
- 文献传递
