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倪金玉

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇化物
  • 3篇晶格
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体质量
  • 3篇硅基
  • 3篇III族
  • 3篇超晶格
  • 3篇成核
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇单晶硅
  • 2篇氮化铝
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇信号
  • 2篇信号增益
  • 2篇增益
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层

机构

  • 10篇中国电子科技...

作者

  • 10篇倪金玉
  • 8篇李忠辉
  • 5篇董逊
  • 4篇张东国
  • 4篇李亮
  • 4篇彭大青
  • 3篇陈堂胜
  • 3篇潘磊

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
表面无微裂纹的Si基III族氮化物外延片
本发明是表面无微裂纹的Si基III族氮化物外延片，其特征是包括Si衬底、二层AlN成核层、三层Al组分递减的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1−x</Sub>N中间层、一层Al<Sub>a</Sub>Ga<Su...
倪金玉潘磊
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复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构
本发明是复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其结构是衬底上是生长成核层；成核层上是第一缓冲层；在缓冲层上是生长缓冲层；在第二缓冲层上是生长沟道层；在沟道层上是生长势垒层；其生长方法包括，衬底经清洗、吹干后在反应...
彭大青李忠辉董逊李亮倪金玉张东国
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含高阻寄生导电层的硅基III族氮化物薄膜及生长方法
本发明是硅基III族氮化物薄膜高阻寄生导电层及生长方法，其结构包含硅衬底和硅基III族氮化物薄膜，其中硅基III族氮化物薄膜包含氮化铝成核层、过渡层和氮化镓层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和过渡层之间。生长方法：1）采用1...
倪金玉李忠辉陈堂胜
利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法
本发明是利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法，单晶硅衬底上是高V/III比氮化铝缓冲层；高V/III比氮化铝缓冲层上是低V/III比氮化铝缓冲层；低V/III比氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶...
李忠辉彭大青李亮董逊倪金玉张东国
表面无微裂纹的Si基III族氮化物外延片
本发明是表面无微裂纹的Si基III族氮化物外延片，其特征是包括Si衬底、二层AlN成核层、三层Al组分递减的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1</Sub><Sub>?</Sub><Sub>x</Sub>N中间层...
倪金玉潘磊
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复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构
本发明是复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其结构是衬底上是生长成核层；成核层上是第一缓冲层；在缓冲层上是生长缓冲层；在第二缓冲层上是生长沟道层；在沟道层上是生长势垒层；其生长方法包括，衬底经清洗、吹干后在反应...
彭大青李忠辉董逊李亮倪金玉张东国
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一种硅衬底上AlGaN/GaN异质结构及其生长方法
本发明公开了一种硅衬底上AlGaN/GaN异质结构及生长方法，首先通入氨气对Si(111)衬底进行表面氮化处理；再在Si衬底上生长AlN成核层；生长Al组分阶梯递减的AlxGa1‑xN缓冲层和AlN/GaN超晶格作为复合...
潘磊董逊李忠辉倪金玉
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利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法
本发明是利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法，单晶硅衬底上是高V/III比氮化铝缓冲层；高V/III比氮化铝缓冲层上是低V/III比氮化铝缓冲层；低V/III比氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶...
李忠辉彭大青李亮董逊倪金玉张东国
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低弯曲度硅基III族氮化物外延片及生长方法
本发明是低弯曲度硅基III族氮化物外延片及生长方法，结构包含硅衬底、氮化铝成核层、铝镓氮过渡层和III族氮化物层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和铝镓氮过渡层间，铝镓氮过渡层位于氮化铝成核层和III族氮化物层间；铝镓氮过渡层...
倪金玉李忠辉陈堂胜
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含高阻寄生导电层的硅基III族氮化物薄膜及生长方法
本发明是硅基III族氮化物薄膜高阻寄生导电层及生长方法，其结构包含硅衬底和硅基III族氮化物薄膜，其中硅基III族氮化物薄膜包含氮化铝成核层、过渡层和氮化镓层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和过渡层之间。生长方法：1）采用1...
倪金玉李忠辉陈堂胜
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