您的位置： 专家智库 > >

鲁智宽

作品数：6 被引量：29H指数：1
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇晶体
  • 2篇超导
  • 1篇溶液法
  • 1篇水溶液
  • 1篇水溶液法
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇铁电体
  • 1篇微生物
  • 1篇小体积
  • 1篇流动法
  • 1篇模化
  • 1篇晶体生长
  • 1篇聚变
  • 1篇激光
  • 1篇激光核聚变
  • 1篇光学
  • 1篇光学晶体
  • 1篇规模化
  • 1篇过热

机构

  • 6篇山东大学

作者

  • 6篇鲁智宽
  • 3篇高樟寿
  • 2篇蒋民华
  • 1篇杨兆荷
  • 1篇于淑琴
  • 1篇付丽伟
  • 1篇尚淑霞
  • 1篇王弘
  • 1篇李义平
  • 1篇刘嘉民
  • 1篇李毅平
  • 1篇王圣来
  • 1篇徐平茂
  • 1篇王晓临

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1993
  • 1篇1991
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
铋、锶、钙、铜有机源的研究
1993年
应用 MOCVD 技术生长 BiSrCaCuO高温超导薄膜的关键是要以高质量的金属有机化合物作为生长源,目前国内尚未有此种商品。为适应 MOCVD 法生长高温超导薄膜的需要,本文针对用基本原料合成有机源的工作进行了研究。
鲁智宽于淑琴杨兆荷蒋民华
关键词：超导材料MOCVD法
溶液循环流动法生长大尺寸KDP晶体被引量：29
1996年
本文研究了溶液循环流动法生长大截面ＫＤＰ晶体的工艺条件．发现影响晶体生长的关键因素是溶液的充分过热、流动体系的流量和生长相的温场．测定了不同条件下生长槽的温场，确定了最佳晶体生长区域。用循环流动法能提高溶液的过饱和度、加快晶体生长速度．
鲁智宽高樟寿李义平王灿
关键词：晶体生长光学晶体水溶液法
MOCVD技术制备Bi系高温超导薄膜和MgO过渡层薄膜的研究(MO源的合成和薄膜的MOCVD生长)
鲁智宽
四槽循环流动晶体生长装置
四槽循环流动晶体生长装置。本实用新型属于晶体生长技术领域。本实用新型的主要技术特征在原来由生长槽、溶解槽、过热槽组成的三槽循环流动晶体生长装置的基础上又增加了过热平衡槽构成四槽循环流动晶体生长装置，它解决了目前三槽循环装...
鲁智宽高樟寿李义平
文献传递
一种规模化生长激光核聚变用大KDP晶体的新方法-四槽循环流动法
高樟寿鲁智宽李毅平王圣来刘嘉民
KDP（KH2PO4）晶体是重要的非线性光学晶体之一，广泛应用于制作频率转换器件、Q调制品和快速光快门。在世界强国竞相发展的当前最大光学工程－－惯性约束核聚变（ICF）工程中，大尺寸KDP和DKDP晶体是无可替代的频率转...
关键词：
关键词：激光核聚变
常压MOCVD制备Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜
1993年
本文首次报道常压 MOCVD 制备 Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜。在较低的衬底温度(～550℃)下一次成膜,薄膜均匀、致密、结晶性好,且具有较好的取向性。
付丽伟王弘尚淑霞王晓临于淑琴鲁智宽徐平茂蒋民华
关键词：铁电体
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0