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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇导体
  • 2篇BI
  • 2篇MOCVD
  • 2篇常压
  • 2篇超导
  • 2篇超导体
  • 1篇导电
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  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇铁电体
  • 1篇高TC
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  • 1篇BI系
  • 1篇BI系超导体
  • 1篇CA
  • 1篇超导电性
  • 1篇超导膜
  • 1篇超导相
  • 1篇12
  • 1篇BI-SR-...

机构

  • 3篇山东大学

作者

  • 3篇王晓临
  • 2篇尚淑霞
  • 2篇王弘
  • 2篇蒋民华
  • 1篇付丽伟
  • 1篇刘宜华
  • 1篇鲁智宽
  • 1篇徐平茂
  • 1篇王卓

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇山东大学学报...

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1990
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
掺杂的Bi—Sr—Ca—Cu—O体系中的新超导相及其构成模型
1990年
用直接烧结—空气淬火工艺制备了掺 Pb+Sb 和掺 Pb+Cd 的 Bi—Sr—Ca—Cu—O超导陶瓷样品.x—射线衍射分析和电磁测量发现有3种新超导相,其结构为正交结构,晶胞参数 a,b 相同,分别为5.41和5.44,而 c 分别为40.64,33.60及27.90.用多层模型解释了各相的形成结构并推出各相的组成为 Bi_2Sr_2Ca_(m/2-1)-Cu_(m/2)Oy(m=2,3,4,5,6,7,8).发现当 m=6时,Tc 最高,说明 Bi—O 层对高温超导电性也有重要影响.
王弘王晓临尚淑霞刘宜华王卓蒋民华
关键词:高TC超导体超导相
掺杂的Bi系超导体超导电性的研究及Bi-Sr-Ca-Cu-O超导膜的常压MOCVD快速生长
王晓临
常压MOCVD制备Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜
1993年
本文首次报道常压 MOCVD 制备 Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜。在较低的衬底温度(~550℃)下一次成膜,薄膜均匀、致密、结晶性好,且具有较好的取向性。
付丽伟王弘尚淑霞王晓临于淑琴鲁智宽徐平茂蒋民华
关键词:铁电体
共1页<1>
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