王圣来
- 作品数：107 被引量：231H指数：11
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 大尺寸KDP晶体切削开裂效应数值模拟分析研究被引量：6
- 2011年
- 大尺寸KDP(KH2PO4)晶体在切割过程中容易出现开裂现象,为了研究大尺寸KDP晶体切割过程中开裂机制并提出合理切割方案,本文对大尺寸KDP晶体切削效应进行了研究。大尺寸KDP晶体切削过程中刀片与晶体之间的接触应力和切割引起的热应力是晶体切削过程中主要致裂因素,因此本文采用有限元计算方法对KDP晶体切削过程进行热力耦合数值仿真模拟。结果表明切割过程中KDP晶体与刀片之间的压力应小于4.1 MPa,切口处温差应控制在4.2℃之内,同时本文还得到了切削过程可控参数(车床推进力和刀片的线速度)的安全取值范围,该范围的提出对KDP晶体的切割技术具有十分重要的意义。
- 张宁张强勇王圣来孙云
- 关键词：KDP晶体热力耦合数值模拟
- 钛酸钡半导体陶瓷的低温介电特性被引量：1
- 1991年
- 在80—320K温度范围内,研究了两种组份BaTiO_3半导体陶瓷的介电特性,发现其介电常数温度曲线不再明显有反映不同铁电相变的两个介电峰,但介电常数实部和虚部的极大值位置分别与mm2—3m和4mm—mm2铁电相变的温度有关。这可能是由于其铁电相变高度弥散、mm2—3m铁电相变温度与Sr^(2-)的取代量基本无关以及4mm相出现PTCR效应的结果。
- 王圣来刘斯栋钟维烈张沛霖赵焕绥
- 关键词：钛酸钡陶瓷介电特性温度系数
- KDP晶体本征中性点缺陷的第一性研究被引量：7
- 2005年
- 用第一性原理研究了KH2PO4(KDP)晶体中性本征点缺陷的形成能并计算了常温下点缺陷的浓度。计算得到中性填隙氢原子的形成能为2.05 eV,进而得到298 K下的浓度约为1.21×10-17mol/L。由于填隙氢原子在带隙中形成缺陷能级,并使能隙降低了2.6 eV,因此消除填隙氢原子有利于提高晶体在355 nm附近的激光损伤阈值。计算得到的氧间隙、氧空位、钾空位和氢空位的形成能分别为0.60、5.25、6.50和6.58eV,常温下它们在晶体中也以较高的浓度存在。钾空位使晶胞体积增大约3.2%,并可能提高晶体电导率,从而降低光损伤阈值。P取代K的反位结构缺陷形成能尽管较低(4.1 eV),但由于晶体生长溶液中P是以PO4四面体的形式存在,故此点缺陷的存在几率很小。
- 王坤鹏张建秀房昌水于文涛王圣来顾庆天孙洵
- 关键词：KDP晶体点缺陷第一性原理
- Ca^(2+)离子对KDP晶体生长习性及性能的影响被引量：9
- 2007年
- Ca^(2+)是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和"点籽晶"快速生长法研究了Ca^(2+)离子对KDP晶体生长习性及性能的影响.实验表明,Ca^(2+)低浓度掺杂时对溶液的稳定性及生长过程没有明显的影响;高浓度时溶液稳定性有所降低,经常出现杂晶;快速生长时,晶体柱面易出现包藏,晶体的紫外透过呈下降趋势,晶体中散射颗粒密度随掺杂浓度的增加而增大.
- 牟晓明王圣来房昌水孙洵顾庆天李毅平
- 关键词：CA^2+KDP晶体晶体生长
- 添加剂EDTA对KDP晶体快速生长的影响研究被引量：1
- 2014年
- 在添加不同浓度（0～5×10-3）EDTA 的KDP饱和溶液中,采用“点籽晶”快速生长技术生长了KDP晶体,生长速度约20 mm/d.研究了不同浓度的EDTA对KDP晶体快速生长的影响.实验发现,随着溶液中EDTA添加量的增加,KDP 晶体（100）面的生长速度是先增加经过一个最大值然后减小；晶体宏观外形高宽比则是先减小经过一个最小值然后增加.在溶液中添加适量浓度的EDTA（5×10-5～5×10-4）可以有效地提高生长溶液的稳定性；而过量的添加 ED-TA（＞1×10-3）反而会破坏溶液的稳定性,当溶液中EDTA浓度增至5×10-3时,溶液甚至发生“雪崩”,晶体出现母液包藏、添晶和粉碎性裂纹等缺陷.结合KDP的晶体结构和EDTA的分子特点,对其影响机理进行了讨论.
- 朱胜军王圣来丁建旭刘光霞王端良刘琳顾庆天许心光
- 关键词：KDP晶体添加剂
- KDP晶体受激拉曼散射特性被引量：2
- 2014年
- 详细比较了磷酸二氢钾(KDP)晶体的自发拉曼散射和受激拉曼散射光谱,在受激拉曼散射(SRS)中观察到了自发拉曼散射中最强的振动模的三阶Stokes光(559.43,589.74,623.50nm),由于其他振动模的受激拉曼散射增益系数较小,其SRS光谱未观察到。另外,比较了传统生长的未退火和退火后的KDP晶体及快速生长的锥区和柱区KDP晶体的受激拉曼散射增益系数,结果表明生长方法和热退火对KDP晶体的受激拉曼散射增益系数无明显影响。
- 柴向旭朱启华李富全许心光王圣来孙洵周海亮张芳
- 关键词：KDP晶体受激拉曼散射增益系数
- 一种易碎裂大尺寸单晶切割固定设备及其工作方法
- 一种易碎裂大尺寸单晶切割固定设备及其工作方法，属于单晶材料加工技术领域。切割固定设备利用磁力器研制而成；防止成型碎裂的方法是：切割前，将待切割晶体放置在相对恒温的切割机室内，室内昼夜温差为±1℃，放置7-10天；将待切割...
- 许心光李毅平孙洵王圣来王正平顾庆天王光林齐开亮
- 文献传递
- 过饱和度对KDP晶体台阶推移影响的研究
- 运用原子力显微镜(AFM)技术对在相同的生长温度,不同的过饱和度条件下生长的KDP晶体{100}面生长台阶的推移规律进行了系统的研究。结果表明:随着过饱和度的增加,台阶的形态、聚并程度、高度、宽度以及斜率都有着显著的变化...
- 李伟东于光伟王端良刘琳黄萍萍余波汪彦春王圣来
- 关键词：AFM过饱和度
- 文献传递
- 大尺寸KDP/DKDP晶体的非线性吸收研究被引量：3
- 2014年
- 大口径KDP/DKDP晶体可用作激光约束核聚变（ICF）中Pockels盒和倍频器件的晶体材料。但是在强激光脉冲下,非线性光吸收限制了激光输出的能量密度和晶体的应用。本文利用Z-扫描技术,测量了大口径KDP和DKDP（70%氘含量）晶体样品在皮秒激光波长λ=1064 nm,532 nm下的非线性吸收曲线,获得相应的非线性吸收系数β。研究表明,在λ=532 nm时,KDP晶体的非线性吸收系数β介于0.0124-0.1591 cm/GW之间,I类DKDP（70%氘含量）的非线性吸收系数β为0.0920 cm/GW;当λ=1064 nm时,KDP和DKDP（70%氘含量）都未测量到非线性吸收。晶体的非线性吸收可能与波长、晶体的切向等有关。
- 王端良李廷斌张光辉王圣来王继扬丁建旭
- 关键词：Z-扫描激光损伤
- 用激光偏振干涉技术测量KDP晶体柱面生长速度
- 2008年
- 采用激光偏振干涉技术实现了KDP晶体柱面生长速度的实时测量,精度可达0.01μm/min。研究了不同的过饱和度控制方式对柱面死区实时测量的影响。发现晶体双折射率随温度的变化是导致光强-时间曲线中死区直线斜率不为零的原因。认为晶体生长速度与杂质离子的吸附时间有关。研究了杂质离子含量不同的两种原料在不同的溶液饱和点下的柱面生长速度和死区随过饱和度的变化关系,结合C-V模型和K-M理论讨论了其中的动力学规律。讨论了晶体光学质量与生长过饱和度的关系,认为利用激光偏振干涉系统进行溶液鉴定,将传统降温法的过饱和度控制在死区范围内和将点籽晶快速生长技术的过饱和度控制在线性区是保证晶体光学质量的关键。
- 刘冰房昌水王圣来牟晓明孙绍涛
- 关键词：KDP动力学死区
