采用Slonczewski的近自由电子模型,利用转移矩阵的方法,研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性.计算了T=4K和T=300K时,隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance,TMR)随偏压的变化关系,同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系.我们的计算结果较好地解释了有关的实验结论.
基于Slonczewski的自由电子近似理论,利用转移矩阵的方法计算了铁磁层/有机层/绝缘层/铁磁层磁性多层结构的隧穿磁电阻(tunneling magnetic resistance,TMR).保持有机层的厚度以及绝缘层的势垒高度不变,分别计算了在同一个有机层势垒高度且不同的自旋过滤因子β下的TMR随绝缘层厚度的变化;同时,还研究了在有机层和绝缘层的厚度不变,不同的β下,TMR随有机层势垒U的变化.结果表明,选取适当的β和绝缘层厚度能够获得大的TMR值;TMR随有机层势垒U的增加而增大.我们的计算结果对有机自旋注入、输运以及设计新的有机自旋电子器件的研究有一定的指导意义.
