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胡志刚

作品数：9 被引量：54H指数：5
供职机构：四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所更多>>
发文基金：贵州省科学技术基金四川省教育厅资助科研项目四川省教育厅青年基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇掺杂
  • 4篇ZNO
  • 4篇ZNO薄膜
  • 3篇溶胶
  • 3篇铁磁
  • 3篇结构和光学性...
  • 3篇共掺
  • 3篇共掺杂
  • 3篇光学
  • 3篇光学性
  • 3篇光学性质
  • 3篇发光
  • 2篇第一性原理
  • 2篇电子结构
  • 2篇溶胶-凝胶
  • 2篇室温铁磁性
  • 2篇铁磁性
  • 2篇子结构
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光

机构

  • 9篇四川师范大学
  • 4篇贵州师范大学
  • 3篇攀枝花学院
  • 1篇重庆邮电大学

作者

  • 9篇胡志刚
  • 8篇徐明
  • 6篇董成军
  • 6篇段满益
  • 4篇周勋
  • 4篇吴艳南
  • 3篇周海平
  • 3篇陈青云
  • 3篇纪红萱
  • 3篇刘方舒
  • 3篇徐禄祥
  • 3篇吴定才
  • 2篇陈尚荣
  • 2篇令狐荣锋
  • 1篇张佩佩
  • 1篇刘杰

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇四川师范大学...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国科学（G...

年份

  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 1篇2008
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
碳掺杂ZnO的电子结构和光学性质被引量：16
2008年
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算研究碳掺杂ZnO的电子结构和光学性质.计算结果表明:C原子替代O原子和C原子替代Zn原子两种掺杂体系的电子结构存在明显差异,这主要是由于C原子的电子分布及对周围原子的影响不同;碳掺杂ZnO光学性质的变化集中在低能量区,而高能量区的光学性质没有明显变化.结合电子结构定性解释了光学性质的变化.
段满益徐明周海平陈青云胡志刚董成军
关键词：ZNO碳掺杂电子结构光学性质
Fe和Ni共掺杂ZnO的电子结构和光学性质被引量：13
2009年
基于密度泛函理论的第一性原理研究Fe,Ni单掺杂和(Fe,Ni)共掺杂纤锌矿型ZnO的能带结构、电子态密度分布、介电函数、光学吸收系数,分析了掺杂后电子结构与光学性质的变化.计算结果表明:掺杂体系的费米能级附近电子态密度主要来源于Fe3d,Ni3d态电子的贡献;与纯净ZnO相比,Fe,Ni单掺杂和(Fe,Ni)共掺杂ZnO的介电函数虚部均在0.46eV左右出现了一个新峰;Fe,Ni单掺杂和共掺杂ZnO的吸收光谱均发生明显的红移,并都在1.3eV处出现较强吸收峰.结合他人的计算和实验结果,给出了定性的讨论.
胡志刚段满益徐明周勋陈青云董成军令狐荣锋
关键词：掺杂第一性原理光学性质
Fe、Ni共掺杂ZnO薄膜的制备和性质研究
ZnO是一种宽带隙的半导体材料，室温下它的能隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具备优异的紫外发光条件，展现出在蓝光及紫外光发光二极管、激光器和光探测器上的重要应用价值。同时，根据理论预测，过渡金属掺杂的Zn...
胡志刚
关键词：ZNO薄膜
文献传递
Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：6
2009年
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.
董成军陈青云徐明周海平段满益胡志刚
关键词：第一性原理电子结构光学性质
过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的发光特性被引量：4
2010年
ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体,具有良好的光电耦合特性和稳定性,在光、电、磁功能集成等新型器件方面可获得重要应用。近来的研究表明,过渡金属掺杂的ZnO基半导体有望成为实现高居里温度稀磁半导体的候选材料,是目前研究的热点。总结了近几年人们在Fe、Co、Ni、Cu、Mn等过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的发光特性研究结果,讨论了过渡金属掺杂后ZnO中观察到的可见发光机制,分析认为过渡金属掺杂ZnO的可见光发射主要与这些发光过渡金属引入后所产生的缺陷有关,而紫外发光峰的变化则与过渡金属掺入后ZnO晶体质量与禁带宽度的改变相关。
徐明胡志刚吴艳南周海平徐禄祥周勋
关键词：ZNO稀磁半导体过渡金属掺杂发光
Fe、Ni共掺杂ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究被引量：5
2010年
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上旋涂生长了ZnO、Fe,Ni单掺杂及(Fe,Ni)共掺杂ZnO薄膜。产物的显微照片及XRD图谱结果表明,该方法所制备的ZnO薄膜表面均匀致密,都存在(002)择优取向,具有六角纤锌矿结构,晶粒尺寸平均在13nm左右,振动样品磁强计(VSM)测试结果显示掺杂ZnO薄膜均存在室温铁磁性。光致发光(PL)测量表明所有样品薄膜的PL谱主要由较强的紫外发光峰(394nm)、蓝光峰(420nm)、绿光峰(480nm)组成。Fe、Ni单掺杂和共掺杂并不改变ZnO薄膜的发光峰位置,但掺杂后该紫外发光峰减弱,420nm处的蓝光峰增强。
胡志刚周勋徐明刘方舒段满益吴定才董成军陈尚荣吴艳南纪红萱令狐荣锋
关键词：ZNO薄膜FE光致发光溶胶-凝胶法室温铁磁性
Co与Cu掺杂ZnO薄膜的制备与光致发光研究被引量：14
2009年
采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Cu单掺杂及Co,Cu共掺杂ZnO薄膜.用金相显微镜观察了Co与Cu掺杂对ZnO薄膜形貌的影响.X射线衍射(XRD)研究揭示所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,在Cu单掺的ZnO薄膜中晶粒尺寸最大.对所有样品的室温光致发光测量都观察到较强的蓝光双峰发射和较弱的绿光发射,其中长波长的蓝光峰和绿光峰都能够通过掺杂进行控制.对不同掺杂源的ZnO薄膜发光性能进行了分析,认为蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位能级的跃迁及锌填隙到价带顶的跃迁,绿光峰是由于掺杂造成的氧错位缺陷能级所致.
吴定才胡志刚段满益徐禄祥刘方舒董成军吴艳南纪红萱徐明
关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶COCU掺杂光致发光
Co与Cu掺杂ZnO磁性薄膜的溶胶-凝胶旋涂法制备被引量：1
2010年
用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Cu单掺杂及(Co,Cu)共掺杂ZnO薄膜。磁性测量表明,无论是单掺还是共掺的ZnO薄膜都具有室温铁磁性,且Co掺杂和共掺杂ZnO薄膜的磁性相近,而Cu单掺ZnO薄膜磁性稍弱一点。用原子力显微镜和X射线衍射研究了Co,Cu掺杂对ZnO薄膜表面形貌和晶体结构的影响,在薄膜中没有发现第二相和磁性团簇的存在,且所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向。室温光致发光测量在所有的样品中都观察到447和482nm附近的蓝光发射,认为是由于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁所导致的。
吴定才胡志刚段满益徐禄祥刘方舒董成军吴艳南纪红萱徐明
关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶室温铁磁性
铁磁/有机/绝缘/铁磁多层膜的隧道磁电阻研究被引量：1
2009年
基于Slonczewski的自由电子近似理论,利用转移矩阵的方法计算了铁磁层/有机层/绝缘层/铁磁层磁性多层结构的隧穿磁电阻(tunneling magnetic resistance,TMR).保持有机层的厚度以及绝缘层的势垒高度不变,分别计算了在同一个有机层势垒高度且不同的自旋过滤因子β下的TMR随绝缘层厚度的变化;同时,还研究了在有机层和绝缘层的厚度不变,不同的β下,TMR随有机层势垒U的变化.结果表明,选取适当的β和绝缘层厚度能够获得大的TMR值;TMR随有机层势垒U的增加而增大.我们的计算结果对有机自旋注入、输运以及设计新的有机自旋电子器件的研究有一定的指导意义.
陈尚荣徐明张佩佩胡志刚周勋刘杰
关键词：铁磁体有机体绝缘层
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