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徐明

作品数：96 被引量：373H指数：9
供职机构：西南民族大学更多>>
发文基金：四川省学术和技术带头人培养资金国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 77篇期刊文章
  • 18篇专利

领域

  • 64篇理学
  • 17篇一般工业技术
  • 6篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇建筑科学
  • 2篇环境科学与工...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 24篇掺杂
  • 22篇催化
  • 21篇纳米
  • 21篇光催化
  • 18篇ZNO
  • 17篇溶胶
  • 16篇光学
  • 16篇光学性
  • 16篇光学性质
  • 15篇发光
  • 13篇第一性原理
  • 13篇光致
  • 13篇光致发光
  • 12篇电子结构
  • 12篇子结构
  • 10篇结构和光学性...
  • 10篇共掺
  • 9篇共掺杂
  • 8篇溶胶-凝胶
  • 8篇溶胶-凝胶法

机构

  • 52篇西南民族大学
  • 49篇四川师范大学
  • 8篇贵州师范大学
  • 6篇中国工程物理...
  • 4篇攀枝花学院
  • 3篇电子科技大学
  • 3篇成都信息工程...
  • 2篇贵州大学
  • 2篇四川大学
  • 2篇临沂师范学院
  • 2篇中国科学院
  • 2篇重庆邮电学院
  • 1篇福建师范大学
  • 1篇南洋理工大学
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇西南大学
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇电子工程学院
  • 1篇武汉纺织大学
  • 1篇贵州理工学院

作者

  • 95篇徐明
  • 26篇袁欢
  • 16篇董成军
  • 16篇张秋平
  • 14篇纪红萱
  • 14篇段满益
  • 10篇陈青云
  • 9篇丁迎春
  • 9篇吴艳南
  • 9篇刘禹彤
  • 8篇周勋
  • 8篇胡志刚
  • 8篇芦伟
  • 8篇沈益斌
  • 6篇周海平
  • 6篇黄勤珍
  • 6篇魏屹
  • 6篇刘方舒
  • 6篇吴定才
  • 5篇潘洪哲

传媒

  • 17篇物理学报
  • 14篇材料导报
  • 9篇四川师范大学...
  • 5篇半导体光电
  • 5篇西南民族大学...
  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇光子学报
  • 2篇Chines...
  • 2篇物理
  • 2篇原子与分子物...
  • 2篇复合材料学报
  • 2篇中国科学（G...
  • 1篇混凝土与水泥...
  • 1篇发光学报
  • 1篇大学物理
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇现代仪器
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇材料导报（纳...

年份

  • 7篇2023
  • 4篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
  • 8篇2011
  • 12篇2010
  • 7篇2009
  • 3篇2008
  • 9篇2007
  • 8篇2006
  • 1篇2005
共 96 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiN_x和SiN_x/SiO_x薄膜的荧光和红外吸收光谱研究
2007年
采用射频磁控溅射法在Si(100)和含有SiOx缓冲层的Si(100)上制备SiNx薄膜。直接生长在Si(100)的SiNx薄膜几乎不发光;而SiNx/SiOx薄膜在650℃以上的高温热处理后有非常强的光致发光,当退火温度为800oC时发光强度达到最高。傅立叶红外吸收研究表明,直接生长在Si(100)的SiNx薄膜在退火后氧化程度略有增加;而SiNx/SiOx薄膜在高温热处理后氧化程度明显升高,但过高温度的退火会导致Si-N键显著减少。分析认为SiNx/SiOx薄膜的发光与Si-N键和Si-O键密切相关。
纪红萱陈卫东徐明
关键词：SINXSIOX红外吸收
中子嬗变掺杂前后Ge纳米晶的结构和性质
2010年
采用第一性原理计算模拟Ge纳米晶在中子嬗变掺杂(NTD)后受空位、O和As杂质的影响.结果表明,退火方法引入的O并不能消除纳米晶中的辐照致空位缺陷的影响,而NTD产生的As掺杂能补偿这些空位缺陷并消除禁带中产生的杂质能级,从而改善半导体掺杂性能.计算还发现,由于较高的电负性,纳米晶中O对Ge原子较强的吸附作用阻止了空位的形成,导致与缺陷相关的非辐射发光中心的浓度减小,发光效率提高,因此中子辐照掺杂前的高温退火处理是非常有必要的.计算较好地解释了已报道的实验结果.
陈青云孟川民卢铁城徐明胡又文
关键词：中子嬗变掺杂第一性原理空位缺陷
过渡金属与氮共掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：64
2007年
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA)研究了过渡族金属(Mn,Fe,Co,Cu)与N共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度分布、差分电荷密度和光学性质.计算表明Mn,Fe,Co与N共掺ZnO的光学性质与Mn,Fe,Co单掺杂相近,但是过渡族金属与N共掺杂有利于获得p型ZnO.
段满益徐明周海平沈益斌陈青云丁迎春祝文军
关键词：ZNO第一性原理电子结构光学性质
我国秸秆纤维基环保节能墙体材料的研究与应用进展被引量：14
2012年
秸秆纤维基环保节能墙体材料指的是以农作物秸秆为主要原料,配以加强材料和黏合材料,按一定配方在反应池里经过物理反应和化学反应,脱模后自然凝固制成的具有轻质、节能、环保等适合现代建筑要求的建筑材料。简要介绍了我国秸秆纤维基环保节能墙体材料的研究和应用现状,并简单分析了其发展前景作。
徐明张润芳
关键词：墙体材料秸秆环保节能
一种异质结构纳米复合物及其制备方法和应用
本发明属于材料合成技术领域。本发明提供了一种异质结构纳米复合物及其制备方法和应用。本发明采用硝酸银、硝酸锌、酒石酸、葡萄糖、丙烯酰胺、亚甲基双丙烯酰胺和水制备得到了纳米复合材料，将纳米复合材料、三氧化二锰、葡萄糖、酒石酸...
徐明李靖张秋平袁欢刘禹彤
文献传递
纳米结构太阳能电池材料的研究进展被引量：6
2006年
纳米结构材料是当今科学研究的热点,它应用于太阳能电池具有成本低、稳定性好、光电转化率高等特点。介绍了纳米结构材料,如自组装纳米结构的有机盘状液晶太阳能电池和无机纳米晶太阳能电池材料(主要包括敏化Ti O2纳米晶、CdSe和CdTe纳米晶、Si基纳米结构)的研究和应用进展,并展望了这些纳米结构材料作为太阳能电池材料的未来发展。
丁迎春徐明沈益斌
关键词：自组装盘状液晶无机纳米晶太阳能电池
Si/SiO2和Si／SiNx／SiO2超晶格的能带结构被引量：3
2010年
利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格中,Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合EPL(eV)=1.6+0.7/d2关系,与我们的计算结果十分吻合.在Si/SiNx/SiO2超晶格系统中,可以通过控制各亚层厚度,尤其是Si和SiNx层厚度,均能够有效地控制发光.
魏屹董成军徐明
关键词：超晶格量子限制效应
铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究
2010年
采用Slonczewski的近自由电子模型,利用转移矩阵的方法,研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性.计算了T=4K和T=300K时,隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance,TMR)随偏压的变化关系,同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系.我们的计算结果较好地解释了有关的实验结论.
张佩佩徐明陈尚荣吴艳南周勋刘杰
关键词：多层膜有机半导体铁磁层隧穿磁电阻
利用阳离子交换反应制备离子纳米晶
2005年
徐明
关键词：纳米晶材料高温高压扩散激活能环境保护固相反应
Ag沉积的ZnO∶Cu纳米颗粒的制备及高效光催化研究被引量：2
2020年
采用高分子网络凝胶法制备了Ag沉积的ZnO∶Cu纳米颗粒。XRD和SEM结果表明,Cu掺入后ZnO纳米颗粒的晶粒尺寸有所减小,但颗粒分散性得到改善。XPS谱的分析表明,Cu在样品中以Cu^2+和Cu^+的形式共存。结合PL光谱分析,认为Cu^2+和Cu+间的能级跃迁是引起蓝光发射的重要因素。UV-vis光谱显示掺铜明显提高了Ag-ZnO复合体系对可见光的吸收。分别在模拟太阳光和紫外光下降解亚甲基蓝(MB),测试样品的光催化性能。分析认为,Cu离子与Ag/ZnO异质结之间的协同作用能促进光催化反应的进行,与掺5%(摩尔分数,下同)Cu的Ag-ZnO纳米颗粒相比,微量掺杂0.2%Cu的Ag-ZnO样品在形貌、光学性能等方面更具优势,因此表现出更优异的光催化活性。
罗凯怡袁欢刘禹彤张嘉羲张秋平王笑乙胡文宇李靖徐明
关键词：光催化
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