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许晓军

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电学
  • 2篇电学性质
  • 2篇异质结
  • 2篇势垒
  • 2篇双异质结
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 1篇生产方法
  • 1篇势垒层
  • 1篇成核

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇张东国
  • 2篇董逊
  • 2篇章咏梅
  • 2篇李忠辉
  • 2篇许晓军
  • 2篇李亮
  • 2篇彭大青

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法，所述AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料包括在衬底上依次生长的下列各层：GaN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN保护层、GaN沟...
董逊许晓军章咏梅彭大青张东国李亮李忠辉
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一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法，所述AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料包括在衬底上依次生长的下列各层：GaN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN保护层、GaN沟...
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