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裴艳丽

作品数：77 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 76篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 27篇半导体
  • 16篇晶体管
  • 12篇氧化物
  • 12篇氧化镓
  • 11篇金属
  • 9篇电极
  • 9篇氧化物半导体
  • 9篇薄膜晶体
  • 9篇薄膜晶体管
  • 7篇MOCVD
  • 6篇透明电极
  • 6篇二极管
  • 5篇电极结构
  • 5篇溶液法
  • 5篇自动化
  • 5篇肖特基
  • 5篇工艺线
  • 5篇掺杂
  • 4篇带隙
  • 4篇电器件

机构

  • 77篇中山大学
  • 3篇深圳业际光电...
  • 1篇佛山市中山大...

作者

  • 77篇裴艳丽
  • 50篇王钢
  • 16篇卢星
  • 12篇李健
  • 9篇范冰丰
  • 5篇梁军
  • 5篇江灏
  • 5篇吴锦壁
  • 4篇李亚
  • 3篇王杰
  • 3篇林家勇
  • 2篇刘玲
  • 2篇郭建平
  • 2篇张露

年份

  • 4篇2024
  • 4篇2023
  • 9篇2022
  • 6篇2021
  • 12篇2020
  • 13篇2019
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 7篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 9篇2012
共 77 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种钢化玻璃耐磨氧化铝镀膜层及其制备方法
本发明涉及薄膜制备的技术领域，更具体地，涉及一种钢化玻璃耐磨氧化铝镀膜层及其制备方法。一种钢化玻璃耐磨氧化铝镀膜层，其中，包括钢化玻璃衬底、设于钢化玻璃衬底上的氧化铝薄膜。本发明1)使用ALD沉积技术在钢化玻璃衬底上制备...
裴艳丽王钢林家勇
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一种自动化工艺线的金属料盘视觉定位系统
本发明提供了一种自动化工艺线的金属料盘视觉定位系统，包括机械手臂、机台和金属料盘放料位，所述机械手臂上设置有抓取工具和手臂相机，所述机台设置有料盒和机台相机，所述视觉定位系统还包括控制系统，所述机械手臂与控制系统通过通信...
李健王钢裴艳丽赖远佳徐艺峰陈梓敏费泽元
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一种雪花状LED电极结构
本发明公开了一种雪花状LED电极结构，其中包括有：至少一个接触部分与至少一个交叉部分，所述交叉部分穿过所述接触部分且对称分布在接触部分的两侧；所述交叉部分上向外延伸有延伸部分，且所述延伸部分对称分布于交叉部分两侧。本发明...
江灏吴锦壁裴艳丽范冰丰王钢
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一种氧化物半导体生物传感器、制作方法及使用方法
本发明公开了一种氧化物半导体生物传感器、制作方法及使用方法，涉及半导体器件在生物检测中的应用技术。针对现有电解质栅薄膜晶体管型生物传感器技术中，电场作用下电解质溶液中的离子会通过电化学作用侵蚀有源层而导致器件性能不稳定的...
裴艳丽容浩峰陈梓敏卢星王钢
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一种自组装制备内嵌金属量子点绝缘介质膜的方法
本发明公开了一种自组装制备内嵌金属量子点绝缘介质膜的方法。本发明采用磁控溅射的方法在室温下制备金属量子点绝缘介质膜。靶材由绝缘靶材其上摆放金属小块构成，然后通过共溅射，室温下即可获得纳米尺寸的、均匀分布于绝缘介质膜中的金...
裴艳丽王钢
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一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法
本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法，属于半导体器件技术领域。一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法，其中包括半导体和栅绝缘层界面陷阱态的提取以及半导体体内陷阱态的提取。本发明主要包括以下步骤：1...
强蕾裴艳丽王钢
一种阴离子掺杂调控氧化镓半导体材料施主浓度的方法
本发明属于半导体器件制造工艺技术领域，更具体地，涉及一种阴离子掺杂调控氧化镓半导体材料施主浓度的方法。采用阴离子氟离子注入，通过调节离子注入机的注入剂量实现施主浓度调控；通过调节离子注入的注入能量和注入步骤实现施主空间分...
裴艳丽苏丹妮卢星王钢
一种有机无机复合阻变存储器及其制备方法
本发明涉及电子器件的技术领域，更具体地，涉及一种有机无机复合阻变存储器及其制备方法。一种有机无机复合阻变存储器，其中包括衬底及依次在衬底上沉积的底电极、镶嵌锂离子化合物颗粒的有机无机复合介质层、顶电极。本发明1）利用镶嵌...
裴艳丽梁军
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背电极结构的ZnO基全透明非挥发存储器及制备方法
本发明公开了一种背电极结构的ZnO基全透明非挥发存储器,包括透明衬底及依次生长在衬底上的栅电极、第一绝缘介质层、金属量子点浮栅层、第二绝缘介质层、ZnO基沟道层与钝化层；所述第二绝缘介质层上还生长有源电极与漏电极，所述源...
裴艳丽范冰丰王钢
一种基于金属掺杂的双向阈值选通器及其制备方法
本发明涉及一种基于金属掺杂的双向阈值选通器及其制备方法，选通器由衬底、底电极、介质层和顶电极依次叠加构成，所述介质层为掺杂活泼金属元素的过渡金属氢氧化物。本发明中底电极和顶电极采用同种材料，掺杂活泼金属离子的过渡金属氢氧...
裴艳丽邵徽红
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